شماره کتابشناسی ملی
شماره
۲۰۱۶۷پ
زبان اثر
زبان متن نوشتاري يا گفتاري و مانند آن
per
عنوان و نام پديدآور
عنوان اصلي
بررسی اثر میدان مغناطیسی بر خواص نوری ناخالصی ها در یک نقطه کوانتومی نیم رسانا
عنوان اصلي به زبان ديگر
The investigation of the effect of magnetic field on the optical properties of impurities in a semiconductor quantum dots
نام نخستين پديدآور
/بهنام رنجبرستوبادی
وضعیت نشر و پخش و غیره
نام ناشر، پخش کننده و غيره
: فیزیک کاربردی وستاره شناسی
تاریخ نشرو بخش و غیره
، ۱۳۹۵
نام توليد کننده
، راشدی
مشخصات ظاهری
نام خاص و کميت اثر
۸۸ص
یادداشتهای مربوط به نشر، بخش و غیره
متن يادداشت
چاپی - الکترونیکی
یادداشتهای مربوط به پایان نامه ها
جزئيات پايان نامه و نوع درجه آن
کارشناسی ارشد
نظم درجات
فوتونیک گرایش الکترونیک
زمان اعطا مدرک
۱۳۹۵/۱۱/۱۷
کسي که مدرک را اعطا کرده
تبریز
یادداشتهای مربوط به خلاصه یا چکیده
متن يادداشت
به منظور افزایش رسانندگی و بهره وری ادوات اپتوالکترونیکی، نقاط کوانتومی به صورت آلاییده از نوع p و nبه کار میرود .ناخالصی ها نقش اساسی در ادوات نوری نیم رسانا بازی می کنند، چراکه رسانایی را تا چند مرتبه افزایش و خواص نوری را نیز تحت تاثیر قرار می دهند، لذا مدل بندی تاثیر حضور ناخالصی ها در نیم رساناها از اهمیت ویژه ای برخوردار است .مطالعه حالت های انرژی ناخالصی ها و مدل بندی محدودیت کوانتومی به همراه اثرات میدانهای خارجی، راهی به بهبود کیفیت کارکرد ادوات اپتوالکترونیکی نسل جدید خواهد گشود .در این میان اعمال میدان مغناطیسی خارجی به عنوان ابزاری کارآمد در بررسی خصوصیات فیزیکی ساختار های کوانتومی نیم رسانا، به خصوص نقاط کوانتومی، خواهد بود .دراین پایان نامه ضرایب جذب خطی وغیرخطی (۱) و (۳) ناشی از حضور ناخالصی وهمچنین تغییرات ضریب شکست دریک نقطه کوانتومی کروی بامحدودیت نوسانگر هارمونیک براساس روش قطری سازی دقیق ماتریس هامیلتونی بررسی شد و سرانجام با همگرا شدن نتایج بدست آمده و اطمینان از درست بودنشان مشاهده گردید که با افزایش ابعاد نقطه کوانتومی و تاثیر میدان مغناطیسی ضمن کاهش ضرایب جذب مرتبه اول و سوم قله ضرایب جذب به سمت انرژی های کمتر (Red Shift) جابجا شدند
متن يادداشت
In order to increase conductivity and efficiency of optoelectronic devices, quantum dots are doped p-type and n-type is used. Impurities play an important role in semiconductor optical devices, Because the conductivity of a few times increase and optical properties are also affected, Therefore, modeling the impact of the presence of impurities in semiconductors is of particular importance. Studying and modeling limitations of gross energy with the effects of external quantum fields, a way to improve the performance quality of the new generation of optoelectronic devices will open. The external magnetic field acts as an efficient tool in the characterization physical semiconductor quantum structures, particularly quantum dots, will be. In this thesis coefficients linear and nonlinear absorption Due to the presence of impurities also changes the refractive index of a point spherical quantum harmonic oscillator with a limit based on exact diagonalization of the hamiltonian matrix reviews was. And finally converging results and ensure their right was observed that with increasing Quantum dot size and influence of the magnetic field while reducing the absorption coefficients of the first and third peak absorption coefficients The less energy( Red Shift )they were removed
عنوان اصلی به زبان دیگر
عنوان اصلي به زبان ديگر
The investigation of the effect of magnetic field on the optical properties of impurities in a semiconductor quantum dots
نام شخص به منزله سر شناسه - (مسئولیت معنوی درجه اول )
مستند نام اشخاص تاييد نشده
رنجبرستوبادی، بهنام
مستند نام اشخاص تاييد نشده
Ranjbar Sotoubadi, Behnam
نام شخص - ( مسئولیت معنوی درجه دوم )
مستند نام اشخاص تاييد نشده
شجاعی، سعید، استاد راهنما
مستند نام اشخاص تاييد نشده
سلطانی والا، علی، استاد راهنما
دسترسی و محل الکترونیکی
يادداشت عمومي
سیاه و سفید
وضعیت فهرست نویسی
وضعیت فهرست نویسی
نمایه‌سازی قبلی
