شماره کتابشناسی ملی
شماره
۱۹۸۴۶پ
زبان اثر
زبان متن نوشتاري يا گفتاري و مانند آن
per
عنوان و نام پديدآور
عنوان اصلي
اثر کشش و میدان مغناطیسی داخل صفحه بر رسانایی اتصال گرافنی نرمال-ابررسانا
عنوان اصلي به زبان ديگر
Effect of strain and in plane magnetic field on conductance of graphene based normal superconductor junction
نام نخستين پديدآور
/نسرین سلیمیان
وضعیت نشر و پخش و غیره
نام ناشر، پخش کننده و غيره
: فیزیک
تاریخ نشرو بخش و غیره
، ۱۳۹۶
مشخصات ظاهری
نام خاص و کميت اثر
۸۰ص
یادداشتهای مربوط به نشر، بخش و غیره
متن يادداشت
چاپی - الکترونیکی
یادداشتهای مربوط به پایان نامه ها
جزئيات پايان نامه و نوع درجه آن
کار شناسی ارشد
نظم درجات
فیزیک،گرایش نانوفیزیک
زمان اعطا مدرک
۱۳۹۶/۱۲/۲۳
کسي که مدرک را اعطا کرده
تبریز
یادداشتهای مربوط به خلاصه یا چکیده
متن يادداشت
گرافن یک لایه تک اتمی از اتم‌صهای کربن است که در یک ساختار شش‌صگوشی به شکل لانه زنبوری قرار گرفته‌صاند .الکترون‌صها در گرافن مانند فرمیون‌صهای بدون جرم دیراک رفتار می‌صکنند که از رابطه پاشندگی آنها حول نقاط دیراک نتیجه می‌صشود .گرافن یک نیمه رسانا با گاف انرژی صفر است و ذاتا ابررسانا نیست اما می توان این خاصیت را با استفاده از اثر مجاورت در آن القا نمود .این اثر را می‌صتوان بر حسب نفوذ جفت‌صهای کوپر از فلز نرمال به داخل ابررسانا و در چارچوب بازتاب آندریو توجیه کرد .بازتاب آندریو در گرافن به دو صورت بازگشتی و آینه‌صای رخ می‌صدهد که از ساختار خاص گرافن نتیجه می‌صشود .اعمال کشش به گرافن سبب تغییر در انرژی پرش به همسایه-های نزدیک شده و باعث تغییر در ساختار نواری گرافن می‌صشود .در این پایان‌صنامه اثر کشش و میدان مغناطیسی داخل صفحه بر رسانایی اتصال گرافنی نرمال-ابررسانا مورد مطالعه قرار می‌صگیرد .با حل معادله دیراک‌صص- بوگولیوبوف-دژن (DBdG) و محاسبه حالت‌صهای الکترون و حفره، رسانایی اتصال‌صهای نرمال-ابررسانا شامل یک و دو سد پتانسیل مغناطیسی مورد بررسی قرار گرفت .نتایج حاصل نشان می‌صدهند که در اثر اعمال میدان مغناطیسی رسانایی این اتصال‌صها به طور کلی دچار کاهش می‌صشود .برای پتانسیل‌صهای کوچک کاهش رسانایی در اثر اعمال میدان مغناطیسی قابل ملاحظه بوده ولی در پتانسیل‌صهای بزرگتر تغییر چندانی مشاهده نمی‌صشود .در مورد اتصال شامل دو سد پتانسیل مغناطیسی افزایش رسانایی با افزایش میدان مغناطیسی به‌صازای شدت‌صهای پتانسیل متوسط قابل مشاهده است .با توجه به افزایش رسانایی برای الکترون‌صهایی فرودی از یک وادی و کاهش رسانایی برای الکترون‌صهای وادی دیگر تغییر قابل ملاحظه‌صای در رسانایی این اتصال‌صها در اثر اعمال کشش ملاحظه نمی‌صشود
متن يادداشت
Graphene is a monolayer of carbon atoms arranged in a hexagonal honeycomb structure. Electrons in graphene behave like massless Dirac fermions that result from their dispersion relation around Dirac points. Graphene is a gapless semiconductor and is not inherently superconducting. But it can be induced in graphene by means of the proximity effect. This effect can be explained by the penetration of the Cooper pairs of a superconductor into the normal metal in the framework of Andreev reflection. Andreev reflection in graphene occurs in two forms: Andreev retro-reflection and specular Andreev reflection which originates from special band structure of graphene. Applying strain on graphene leads to a change in hoping energies to near neighbors and change in the graphene band structure. In this thesis, the effect of a strain and an in plane magnetic field on conductance of graphene based normal- superconductor junction has been studied. By solving the Dirac Bogoliubov-De Gennes equation and obtaining electron and hole states, we calculate conductance of the normal-superconductor junction including one and two magnetic potential barriers. The results show that due to the applying magnetic field conductance of these junctions generally decrease. For small potentials reduction of conductance due to applied magnetic field is significant, but in large potentials considerable changes are not observed. In the case of junction involving two magnetic barriers conductance increase with increasing magnetic field for moderate potentials. Due to increase in conductance for electrons incident from one valley and reduction of conductance for the electrons incident from other valley there is no significant changes in conductance of these junctions due to applying strain
عنوان اصلی به زبان دیگر
عنوان اصلي به زبان ديگر
Effect of strain and in plane magnetic field on conductance of graphene based normal superconductor junction
نام شخص به منزله سر شناسه - (مسئولیت معنوی درجه اول )
مستند نام اشخاص تاييد نشده
سلیمیان، نسرین
مستند نام اشخاص تاييد نشده
Salimian, Nasrin
دسترسی و محل الکترونیکی
يادداشت عمومي
سیاه و سفید
وضعیت فهرست نویسی
وضعیت فهرست نویسی
نمایه‌سازی قبلی
