عنوان

بررسی اثر لایه های سد و پوش بر عملکرد سلول خورشیدی با ساختار چاه کوانتومی گالیم نیترید/ایندیوم گالیم نیترید

شماره

‭۱۵۸۳۷پ‬

زبان متن نوشتاري يا گفتاري و مانند آن

per

عنوان اصلي

بررسی اثر لایه های سد و پوش بر عملکرد سلول خورشیدی با ساختار چاه کوانتومی گالیم نیترید/ایندیوم گالیم نیترید

نام نخستين پديدآور

/ساینا حق کیش

نام ناشر، پخش کننده و غيره

: فیزیک کاربردی و ستاره شناسی

تاریخ نشرو بخش و غیره

، ‮‭۱۳۹۳‬

متن يادداشت

چاپی

جزئيات پايان نامه و نوع درجه آن

کارشناسی ارشد

نظم درجات

فوتونیک- الکترونیک

زمان اعطا مدرک

‮‭۱۳۹۳/۱۱/۱۵‬

کسي که مدرک را اعطا کرده

تبریز

متن يادداشت

خواص ساختاری منحصر به فرد‮‭III‬ - نیتریدها این مواد را به گزینه مناسبی برای ساخت ادوات اپتوالکترونیک، به ویژه‮‭LED‬ها و سلول های خورشیدی تبدیل کرده است ‮‭InGaN‬ .به دلیل دارا بودن گاف باندی مستقیم و تنظیم پذیر برای تمامی محدوده مفید طیف خورشیدی، ماده ایده آلی برای استفاده در ادوات فوتوولتائیک به شمار می رود .از طرفی به دلیل محدودیت ضخامت در لایه های شامل ایندیوم، نمی توان این لایه ها را در ابعاد کپه ای ساخت، از این رو ساختار های چاه کوانتومی چندگانه یا همان لایه های جاذب ابر شبکه ‮‭InGaN/GaN‬ برای ساخت سلول های خورشیدی نیتریدی به کار گرفته می شوند .برای بیشینه نمودن بازدهی لایه جاذب، تکنیک های رشد متعدد از جمله رشد دو مرحله ای ماده سد استفاده می شود و کسری از ماده سد را در شرایط متفاوتی رشد می دهند به نحوی که میزان ناخالصی های ناخواسته، ناکاملی ها و ترازهای تله ای در این بخش به حداقل برسد .این بخش از ماده لایه پوش نام دارد .در این پایان نامه دو ساختار سلول خورشیدی چاه کوانتومی یکی بدون لایه پوش و دیگری با لایه پوش بررسی شده اند .در گام نخست با در نظر گرفتن سه ضخامت مختلف برای لایه سد، اثر ضخامت این لایه را بررسی کرده ایم .با انتخاب بهینه مقدار ضخامت ‮‭(nm۶)‬ از مرحله اول، در گام بعدی کسری از این سد بهینه را به پوش اختصاص داده ایم .این بار نیز سه نمونه متفاوت در ضخامت پوش را بررسی کرده و با انتخاب بهینه پارامتر های نهایی، بازده تبدیل ‮‭=۴۲‬ حاصل می شود که نسبت به حالت پایه ‮‭۳‬ افزایش داشته است

متن يادداشت

2.05V, Jsc of 2.8 mA/cm2 and powe conversion efficiency of =42 ~ 0.7 eV for In up to 3.4 eV for GaN, covering the most of the solar spectrum. On the other hand, to overcome the indium incorporation limitation in thick layers, multiple quantum wells or superlattice absorbing layer consisting of InGaN/GaN layers can be employed in solar cell structures. In this thesis a two step GaN barrier growth method ology was developed for InGaN/GaN MQW solar cells to preserve the high indium content inside the InGaN QWs and to suppress the formation of V-defects. In the first step we have simulated 3 samples of InGaN/GaN MQW solar cells without cap layer, differing only in barrier thickness. After investigating the barrier thickness effect and selecting the sample with the optimum performance, we stepped into the next level, so that after deposition of each QW, a lower temperature GaN cap layer was assumed to be grown on the top of QW followed by the growth of a higher temperature GaN barrier layer. A clear correlation was observed between thicker cap layers, improved microstructure and improved solar cell performance. The 6 nm cap sample exhibits the best overall performance with a Voc of ~ The unique materials properties of III-nitride semiconductors make them attractive for optoelectronics, particularly for efficient LEDs and Solar Cells. InGaN possesses the most unique property of a direct band gap ranging from

مستند نام اشخاص تاييد نشده

حق کیش، ساینا

مستند نام اشخاص تاييد نشده

عسگری، اصغر، استاد راهنما

مستند نام اشخاص تاييد نشده

کلافی، منوچهر، استاد راهنما

مستند نام اشخاص تاييد نشده

مریدی فریمانی، مهدی، استاد مشاور

مستند نام اشخاص تاييد نشده

دیوبند، بهارک، استاد مشاور

يادداشت عمومي

سیاه و سفید

وضعیت فهرست نویسی

نمایه‌سازی قبلی