عنوان

مطالعه ساختار الکترونی در قطعات نیمه هادی آمورف حاوی اکسید فلزات انتقالی LiO۲ و P۲O۵

کد کشور

IR

شماره

۳۶۲۷پ

زبان متن نوشتاري يا گفتاري و مانند آن

فارسی

کشور محل نشر

IR

عنوان اصلي

مطالعه ساختار الکترونی در قطعات نیمه هادی آمورف حاوی اکسید فلزات انتقالی LiO۲ و P۲O۵

نام عام مواد

[پایان‌نامه]

عنوان اصلي به زبان ديگر

Study of electronic structure in amorphous semiconductor devices containing transion metal oXide: P۲O۵ and Li۲O

نام نخستين پديدآور

/فرناز خاصه‌تراش

نام ناشر، پخش کننده و غيره

: علوم پایه

تاریخ نشرو بخش و غیره

، ۱۳۹۷

نام خاص و کميت اثر

۱۲۷ص

متن يادداشت

زبان: فارسی

متن يادداشت

زبان چکیده: فارسی

متن يادداشت

چاپی - الکترونیکی

متن يادداشت

نمودار، جدول

جزئيات پايان نامه و نوع درجه آن

کارشناسی ارشد

نظم درجات

فیزیک - حالت جامد

زمان اعطا مدرک

۱۳۹۷/۰۶/۰۱

کسي که مدرک را اعطا کرده

صنعتی سهند

متن يادداشت

نیمرساناها از جالب ترین و مفیدترین گروه جامدات هستند .اگرچه از سال‌های ۱۹۲۰ و برای مدت طولانی، نیمرسانا ها مورد مطالعه قرار گرفته‌اند، بعد از اواخر دهه‌ی ۱۹۴۰ که ترانزیستور اختراع شد، نیمرساناها جایگاه واقعی خود را پیدا کردند و به عنوان یکی از جالب توجه‌ترین موضوع‌ها در فیزیک حالت جامد مطرح شدند .شیشه‌های نیمرسانا، به خاطر داشتن خواص الکتریکی جذاب و کاربردهای فنی، توجه زیادی را به خود جلب کرده‌اند .اما در بین شیشه‌های نیمرسانا، شیشه‌های فسفات، به دلیل دارا بودن ضریب انبساط حرارتی بالا و دمای ذوب پایین، در ۲۰ سال اخیر، به طور گسترده‌ای مورد مطالعه قرار گرفته‌اند .با این وجود پایداری شیمیایی نسبتا پایین، کاربرد عملی آن‌ها را محدود می‌سازد .برخی مطالعات نشان داده‌اند که پایداری شیمیایی شیشه‌های فسفات را می‌توان با افزودن اکسیدهای مختلفی از قبیلAl ۲O۳,MnO,V۲O۵ ,CuOو به ویژه اکسید آهن، بهبود بخشید .پیشنهاد داده شده است که پایداری شیمیایی شیشه‌های فسفات یون‌های فلز انتقالی، به جابجایی پیوندهایO- P- Pبا پیوندهای مقاوم‌ترR=Fe , V , Cu , Mn ( -O- P ( Rنسبت داده شود .هدف از پروژه‌ی حاضر، مطالعه‌ی ساختار، تغییرات گاف اپتیکی و رسانایی الکتریکی در سیستم شیشه‌ای با ترکیب ۴۰P۲O۱۰-۵V۲O۵-(۵۰-X) Li۲XK-O۲ O، ۵ >X >۳۵mol) ( است که با روش سرد کردن سریع مذاب تهیه شد .مطالعات ساختاری به وسیله‌ی ثبت طیف جذبیIR ، انجام شد.با انجام آنالیز UV نتیجه شد که موقعیت لبه‌ی جذب و بنابراین، مقادیر گاف اپتیکی به ترکیب شیشه‌ی نیم‌رسانا وابسته می‌باشد .منشا انرژی اورباخ با انتقالات غیرمستقیم به کمک فونون‌ها، مرتبط است .همچنین، رسانایی dc سیستم‌های شیشه‌ای نگارش شد و نوار گاف الکتریکی، محاسبه گردید

متن يادداشت

5< X< 35 ( mol) which were prepared by normal melt quench technique. Structural studies were made by recording IR absorbance spectra. The recording UV absorbance for all of the glasses was analyzed . The position of absorption edge and hence the value of the optical band gap was found to depend on the semiconducting glass composition. The absorption in these glasses is believed to be associated with indirect transitions. The origin of Urbach energy is associated with the phonon-assisted indirect transitions. D.C. conductivity of the glass systems is also reported and electrical band gap was evaluated ، Semiconductors are of the most interesting and most useful groups of solids. Although from 1920 and for a long time, semiconductors had been studied, but infacnt after late 1940's that invention the transistors, semiconductors approached their real position. semiconductors posed as one of the most attractive fields in solid state physics. Semiconducting glasses have attracted a great attention because of their intriguing electrical properties and technological applications. In the last 20 years, among semiconducting glasses, phosphate ones have been studied widely because of their large thermal eXpansion coefficients and low melting temperatures. However, their relatively poor chemical durability, limits their practical use. But, several studies have shown that the chemical durability of phosphate glasses can be improved by addition of various oXides such as Al2O3,MnO,V2O5,CuO and especially, Iron oXides. It has been suggested that the chemical durability of transition metal ions phosphate glasses is attributed to the replacement of P-O-P bonds by more resistant P-O-R bonds (R=Fe, V, Cu and Mn. . .) . The present project aims to study the structure, variation of optical band gap and d.c. electrical conductivity in the glass system with combination of 40P2O5-10V2O5-(50-X) Li2O-XK2O

خط فهرستنویسی و خط اصلی شناسه

ba

عنوان اصلي به زبان ديگر

Study of electronic structure in amorphous semiconductor devices containing transion metal oXide: P۲O۵ and Li۲O

موضوع مستند نشده

نیمرساناهای آمورف

موضوع مستند نشده

شیشه‌های فسفات

موضوع مستند نشده

گاف اپتیکی

موضوع مستند نشده

گاف الکتریکی

موضوع مستند نشده

رسانایی الکتریکی

اصطلاح موضوعی

semiconductors; phosphate glasses; optical band gap; electrical band gap; electrical conductivity

اصطلاح موضوعی

نیمرساناهای آمورف، شیشه‌های فسفات، گاف اپتیکی، گاف الکتریکی، رسانایی الکتریکی

مستند نام اشخاص تاييد نشده

خاصه‌تراش، فرناز

مستند نام اشخاص تاييد نشده

حکمت شعار، محمدحسین

مستند نام اشخاص تاييد نشده

Hekmat Shoar, Mohammad Hossein، استاد راهنما

کشور

ایران

تاريخ عمليات

20230621

شماره بازیابی

فیزیک ،۹۰۱۴۷ ،۱۳۹۷

نام ميزبان

ی‌لاقتنا ت‌ازلف‍ دیسکا ی‌واح‍ ف‌رومآ ی‌داه‍ ه‌مین‍ ت‌اعطق‍ رد ی‌نورتکلا راتخاس‍ ه‌علاطم‍ LiO2 و P2O5.pdf

شماره دسترسي

عادی

اطلاعات مختصر

عادی

تاريخ و ساعت مذاکره و دسترسي

3627.pdf

تاريخ و ساعت مذاکره و دسترسي

p90147.pdf

بيت در ثانيه

0

ارتباط براي تسهيلات دسترسي

ایمانی

نوع فرمت الکترونيکي

متن

اندازه فايل

0

شماره کنترل رکورد

پ۳۶۲۷

يادداشت عمومي

فارسی

وضعیت فهرست نویسی

نمایه‌سازی قبلی

فرمت انتشار

pe

نوع ماده

TF

کد کاربرگه

92029

پیشوند ISBD اعمال شده است

1

سطح دسترسي

a

تكميل شده

Y