یادداشتهای مربوط به کتابنامه ، واژه نامه و نمایه های داخل اثر
متن يادداشت
کتابنامه در آخر پایان نامه
یادداشتهای مربوط به پایان نامه ها
جزئيات پايان نامه و نوع درجه آن
کارشناسی ارشد
نظم درجات
فیزیک
کسي که مدرک را اعطا کرده
دانشگاه صنعتی سهند
یادداشتهای مربوط به خلاصه یا چکیده
متن يادداشت
با توجه به کاربردهای فراوان کربید تیتانیم، روشهای گوناگونی نیز برای تولید آن به کار رفته است .در این پژوهش تلاش شده است تا با روش PVD و به وسیله دستگاه پلاسمای پالسی چگال و دما بالا( پلاسما فوکوس)، تیتانیم کرباید بر روی سیلیکون تک کریستال لایه نشانی شود .برای انجام این آزمایش قطعه تیتانیم به عنوان آند در داخل چمبر قرار گرفت و داخل چمبر تخلیه شد .پس از ایجاد خلا در داخل چمبر به داخل آن گاز متان ۹۹/۹۹ تا فشار مناسب تزریق شد .با انجام آزمایشهای متعدد معلوم شد که نمونه باید در فاصله حدودا cm ۴۳ از آند قرار گیرد و ولتاژ ورودی نیز به اندازه ای بالا باشد( در حدود (v ۱۶۰۰ تا باعث تبخیر ذرات آند گردد .اگر فشار داخل چمبر نیز مناسب نباشد جت پلاسمایی به خوبی اتفاق نمیافتد، فشار داخل چمبر با تزریق گاز متان در این شرایط باید در حدود۱۰ -۱۰ ۳- torr ۴میباشد.از آنالیز های پراش پرتو(XRD) X ، طیف سنجی رامان (RAMAN) و آنالیز نقطه ای میکروسکوپ الکترونی روبشی (EDS) برای تشخیص تشکیل لایه نازک تیتانیم کرباید استفاده شده است .آنالیز XRD نشان داد کهTiC(۱۱۱) ،TiC(۲۰۰) ،TiC(۲۲۰) ، TiC(۲۲۲) و TiC(۳۱۱) بر روی سیلیکون تشکیل شده است .همچنین برای ریخت شناسی سطح لایه نازک از میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) استفاده شده است .این آنالیز نیز حاکی از تشکیل ریز ذرات می باشد که پراکندگی آن ها تقریبا به صورت یکنواخت است.
اصطلاحهای موضوعی کنترل نشده
اصطلاح موضوعی
پلاسما فوکوس
اصطلاح موضوعی
تیتانیم کرباید
اصطلاح موضوعی
لایه نازک
نام شخص به منزله سر شناسه - (مسئولیت معنوی درجه اول )