هدفمندسازی رفتار فیزیکی و مکانیکی کامپوزیتهای Al- Mg۲Si به روش ریختهگری گریز از مرکز
نام عام مواد
[پایاننامه]
نام نخستين پديدآور
/حجت اله امرایی
وضعیت نشر و پخش و غیره
نام ناشر، پخش کننده و غيره
دانشگاه صنعتی سهند
تاریخ نشرو بخش و غیره
، ۱۳۸۹
مشخصات ظاهری
نام خاص و کميت اثر
۱۰۶ ص
یادداشتهای مربوط به نشر، بخش و غیره
متن يادداشت
چاپی - الکترونیکی
یادداشتهای مربوط به کتابنامه ، واژه نامه و نمایه های داخل اثر
متن يادداشت
کتابنامه در آخر پایان نامه
یادداشتهای مربوط به پایان نامه ها
جزئيات پايان نامه و نوع درجه آن
کارشناسی ارشد
نظم درجات
مهندسی مواد
کسي که مدرک را اعطا کرده
دانشگاه صنعتی سهند
یادداشتهای مربوط به خلاصه یا چکیده
متن يادداشت
یکی از روشهای ایجاد ناهمگنی هدفمند در ریزساختار مواد، ریختهگری گریز از مرکز است که در آن نیروی گریز از مرکز منجر به توزیع درجه بندی شدهای از فازهای ریزساختاری در حین ریخته گری و انجماد میشود .بر این اساس، در این پژوهش با آماده سازی مذاب Al-۱۸wt. Mg۲Si و ریختهگری گریز از مرکز آن، استوانههایی با گرادیان ترکیبی و فازی در راستای شعاعی ریختهگری شدند .با بررسی ریزساختار استوانههای ریختگی در جهت شعاعی، دو لایه متمایز ریزساختاری قابل تشخیص بود لایه داخلی با کسر حجمی بالای ذرات اولیه Mg۲Si و لایه خارجی که ازسلولهای یوتکتیک مجازی Al/Mg۲Si تشکیل شده است .با بررسی میکروسکوپی مقاطع مختلف کامپوزیت هدفمند تولید شده، تخلخلهای نسبتا زیادی در لایه داخلی کامپوزیت مشاهده شد که عمدتا از نوع گازی بودند .به منظور حذف این مکها از ریزساختار کامپوزیت هدفمند جهت ارزیابی صحیح خواص فیزیکی و مکانیکی، شرایط بهینه گاززدایی تعیین شده و تغییراتی در هندسه راهگاه بارریز ایجاد شد بطوریکه جهت بارریزی در راستای نیروی گریز از مرکز اعمالی تغییر یافت .در مرحله بعد، تاثیر سیلیسیم اضافی بر گرادیان ریزساختاری کامپوزیت ریختگی بررسی شد .محاسبات ترمودینامیکی با نرم افزارCalc - Thermoنشان داد که افزایش سیلیسیم اضافی موجب افزایش محدوده دمایی منطقه دو فازی شده و باعث افزایش اندازه ذرات Mg۲Si در لایه داخلی میشود .پهنای ناحیه خالی از ذرات Mg۲Si اولیه یعنی ضخامت لایه خارجی نیز با افزایش چهار و هشت درصد وزنی سیلیسیم اضافی به ترتیب از ۱۰ به ۷ و سپس ۴ میلیمتر کاهش یافت که علت آن، افزایش ویسکوزیته مذاب در اثر افزایش سیلیسیم اضافی است .افزون بر این، با تشکیل یک لایه مرزی نفوذی با دامنه بلند در جلوی فصل مشترک جامد /مذاب در اثر کاهش اکتیویته منیزیم باافزایش سیلیسیم، ویژگی انفصال در ساختار یوتکتیک مشاهده شد بطوریکه ذرات Mg۲Si به صورت جزایر منفرد در زمینه Al نمایان بودند .بررسی ریزساختار کامپوزیت هدفمند۱۸wt. Mg۲Si - Al پس از ۱۰ ساعت محلولسازی در دمای ۵۳۰ C و ۸ ساعت پیرسازی در دمای C۱۷۵ نشان داد عملیات حرارتی باعث تبدیل Mg۲Si لایهای موجود در ساختار یوتکتیکی به ذرات ریز شبه نقطهای شد ضمن اینکه تغییری در گرادیان ترکیبی و فازی ریزساختار در جهت شعاعی نمونه استوانهای مشاهده نشد .نتایج آزمایشات سختی سنجی، کشش و سنجش مقاومت الکتریکی نشان داد به واسطه افزایش کسر حجمی ذرات Mg۲Si اولیه از لایه خارجی به لایه داخلی کامپوزیت مقادیر سختی، استحکام کششی و مقاومت الکتریکی ویژه افزایش یافته در حالیکه میزان کرنش شکست در این راستا کاهش یافته است.
اصطلاحهای موضوعی کنترل نشده
اصطلاح موضوعی
کامپوزیت ریختگی هدفمند
اصطلاح موضوعی
آلیاژ هایپریوتکتیک Al-Mg۲Si
اصطلاح موضوعی
ریختهگری گریز از مرکز
اصطلاح موضوعی
جدایش فازی
اصطلاح موضوعی
مقاومت الکتریکی
اصطلاح موضوعی
خواص مکانیکی
نام شخص به منزله سر شناسه - (مسئولیت معنوی درجه اول )