SiGe and Si strained-layer epitaxy for silicon heterostructure devices
نام عام مواد
[Book]
نام نخستين پديدآور
/ edited by John D. Cressler
وضعیت نشر و پخش و غیره
محل نشرو پخش و غیره
Boca Raton
نام ناشر، پخش کننده و غيره
: CRC Press/Taylor & Francis,
تاریخ نشرو بخش و غیره
, c2008.
مشخصات ظاهری
نام خاص و کميت اثر
264 p.
ساير جزييات
: ill.
يادداشت کلی
متن يادداشت
"The material was previously published in Silicon heterostructure handbook : materials, fabrication, devices, circuits and applications of SiGe and Si strained-layer epitaxy, Taylor and Francis, 2005"--T.p. verso.
یادداشتهای مربوط به نشر، بخش و غیره
متن يادداشت
Print - Electronic
یادداشتهای مربوط به کتابنامه ، واژه نامه و نمایه های داخل اثر
متن يادداشت
Includes bibliographical references and index.
عنوانهای گونه گون دیگر
عنوان گونه گون
Silicon heterostructure handbook
موضوع (اسم عام یاعبارت اسمی عام)
موضوع مستند نشده
Bipolar transistors--Materials
موضوع مستند نشده
Heterostructures.
موضوع مستند نشده
Silicon--Electric properties
موضوع مستند نشده
Epitaxy.
نام شخص - ( مسئولیت معنوی درجه دوم )
مستند نام اشخاص تاييد نشده
Cressler, John D
مبدا اصلی
کشور
ایران
دسترسی و محل الکترونیکی
نام ميزبان
SiGe and Si strained-layer epitaxy for silicon heterostructure devices