Reliability wearout mechanisms in advanced CMOS technologies
وضعیت نشر و پخش و غیره
محل نشرو پخش و غیره
Piscataway, NJ
محل نشرو پخش و غیره
Hoboken, NJ
نام ناشر، پخش کننده و غيره
IEEE Press
نام ناشر، پخش کننده و غيره
Wiley
تاریخ نشرو بخش و غیره
c2009
مشخصات ظاهری
نام خاص و کميت اثر
xv, 624 p. : ill
فروست
ساير اطلاعات عنواني
IEEE Press series on microelectronic systems
يادداشت کلی
متن يادداشت
Includes bibliographical references and index
یادداشتهای مربوط به عنوان و پدیدآور
متن يادداشت
Alvin W. Strong...]et al.[
یادداشتهای مربوط به مندرجات
متن يادداشت
Introduction / Alvin W. Strong -- Dielectric characterization and reliability methodology / Ernest Y. Wu, Rolf-Peter Vollertsen, and Jordi Sune -- Dielectric breakdown of gate oxides: physics and experiments / Ernest Y. Wu, Rolf-Peter Vollertsen, and Jordi Sune -- Negative bias temperature instabilities in pMOSFET devices / Giuseppe LaRosa -- Hot carriers / Stewart E. Rauch, III -- Stress-induced voiding / Timothy D. Sullivan -- Electromigration / Timothy D. Sullivan
موضوع (اسم عام یاعبارت اسمی عام)
عنصر شناسه ای
Reliability ، Metal oxide semiconductors, Complementary
عنصر شناسه ای
، CMOS-Schaltung
عنصر شناسه ای
، Schaltungsentwurf
رده بندی کنگره
شماره رده
TK
7871
.
99
.
M44
R455
نام شخص به منزله سر شناسه - (مسئولیت معنوی درجه اول )