عنوان
پدید آورنده
موضوع
رده
کتابخانه
محل استقرار
شماره کتابشناسی ملی
شماره
LA5kv6j5dt
عنوان و نام پديدآور
عنوان اصلي
Relaxed c-plane InGaN layers for the growth of strain-reduced InGaN quantum wells
نام عام مواد
[Article]
نام نخستين پديدآور
Hestroffer, K.Wu, F.Li, H.Lund, C.Keller, S.Speck, J. S.Mishra, U. K.
مجموعه
تاريخ نشر
2015
عنوان
UC Office of the President
دسترسی و محل الکترونیکی
نام الکترونيکي
مطالعه متن کتاب اطلاعات رکورد کتابشناسی
نوع ماده
[Article]
کد کاربرگه
277261
اطلاعات دسترسی رکورد
سطح دسترسي
a
تكميل شده
Y
