عنوان
پدید آورنده
موضوع
رده
کتابخانه
محل استقرار
شماره کتابشناسی ملی
شماره
TL1jx2h6q9
زبان اثر
زبان متن نوشتاري يا گفتاري و مانند آن
انگلیسی
عنوان و نام پديدآور
عنوان اصلي
Group III-V Nanowire Growth and Characterization
نام عام مواد
[Thesis]
نام نخستين پديدآور
Wang, Mingjin
نام ساير پديدآوران
Bowers, John E
وضعیت نشر و پخش و غیره
تاریخ نشرو بخش و غیره
2016
یادداشتهای مربوط به پایان نامه ها
کسي که مدرک را اعطا کرده
Bowers, John E
امتياز متن
2016
یادداشتهای مربوط به خلاصه یا چکیده
متن يادداشت
Electronic and optical devices typically use bulk or quantum wells today, but nanowires are promising building blocks for future devices, due to their structural characterizations of larger aspect ratio and smaller volume. In situ growth of semiconductor devices is extremely attractive, as it doesn't require expensive lithography treatment. Over the past ten years, a great deal of work has been done to explore NW, incorporation of group III-V materials and band engineering for the electronic and optoelectronic devices. Because pseudo one-dimensional heterostructures may be grown without involving lattice mismatch defects, NWs may give rise to superior electronic, photonic, and magnetic performances as compared to conventional bulk or planar structures.
نام شخص به منزله سر شناسه - (مسئولیت معنوی درجه اول )
مستند نام اشخاص تاييد نشده
Cole, Emily Christine Cooper
نام شخص - ( مسئولیت معنوی درجه دوم )
مستند نام اشخاص تاييد نشده
Wang, Mingjin
شناسه افزوده (تنالگان)
مستند نام تنالگان تاييد نشده
UC Santa Barbara
دسترسی و محل الکترونیکی
نام الکترونيکي
مطالعه متن کتاب وضعیت انتشار
فرمت انتشار
p
اطلاعات رکورد کتابشناسی
نوع ماده
[Thesis]
کد کاربرگه
276903
اطلاعات دسترسی رکورد
سطح دسترسي
a
تكميل شده
Y
