• صفحه اصلی
  • جستجوی پیشرفته
  • فهرست کتابخانه ها
  • درباره پایگاه
  • ارتباط با ما
  • تاریخچه
  • ورود / ثبت نام

عنوان
High throughput manufacturing of silicon nanobridges for the fabrication of 3D gate-all-around field effect transistors

پدید آورنده
Jin Yong Oh

موضوع
Electrical engineering; Materials science,Applied sciences;Bottom-up;Field effect transistors;Nanobridges;Nanowires;Silicon nanostructures;Vapor-liquid-solid growth

رده

کتابخانه
مرکز و کتابخانه مطالعات اسلامی به زبان‌های اروپایی

محل استقرار
استان: قم ـ شهر: قم

مرکز و کتابخانه مطالعات اسلامی به زبان‌های اروپایی

تماس با کتابخانه : 32910706-025

شماره کتابشناسی ملی

شماره
TL48036

زبان اثر

زبان متن نوشتاري يا گفتاري و مانند آن
انگلیسی

عنوان و نام پديدآور

عنوان اصلي
High throughput manufacturing of silicon nanobridges for the fabrication of 3D gate-all-around field effect transistors
نام عام مواد
[Thesis]
نام عام مواد
[Thesis]
نام عام مواد
[Thesis]
نام عام مواد
[Thesis]
نام نخستين پديدآور
Jin Yong Oh
نام ساير پديدآوران
Islam, M. Saif

وضعیت نشر و پخش و غیره

نام ناشر، پخش کننده و غيره
University of California, Davis
تاریخ نشرو بخش و غیره
2014

مشخصات ظاهری

نام خاص و کميت اثر
178

يادداشت کلی

متن يادداشت
Committee members: Amitharajah, Rajeevan; Horsley, David

یادداشتهای مربوط به نشر، بخش و غیره

متن يادداشت
Place of publication: United States, Ann Arbor; ISBN=978-1-321-36357-9

یادداشتهای مربوط به پایان نامه ها

جزئيات پايان نامه و نوع درجه آن
Ph.D.
نظم درجات
Electrical and Computer Engineering
کسي که مدرک را اعطا کرده
University of California, Davis
امتياز متن
2014

یادداشتهای مربوط به خلاصه یا چکیده

متن يادداشت
Self-assembled nanowires chemically synthesized by bottom-up approaches have attracted considerable attention due to their properties that are not common in their bulk or thin film counterparts. Their potential to offer novel functionality opens up opportunities for innovative genres of devices. Indeed, a number of innovative devices, such as transistors, diodes, bio/chemical sensors, photovoltaic devices, and even embryonic low-density integrated circuits, have been demonstrated by using various kinds of nanowires. In contrast to nanostructured materials created by the microfabrication technology pursued by the microelectronics industry, self-assembled nanowires inheritedly exhibit a high degree of variability in their dimensions, densities, locations, and alignment, etc. Despite the promise of nanowires, such uncertainty prevents them from utilization in mass-manufacturing processes and large-scale device integration.

موضوع (اسم عام یاعبارت اسمی عام)

موضوع مستند نشده
Electrical engineering; Materials science

اصطلاحهای موضوعی کنترل نشده

اصطلاح موضوعی
Applied sciences;Bottom-up;Field effect transistors;Nanobridges;Nanowires;Silicon nanostructures;Vapor-liquid-solid growth

نام شخص به منزله سر شناسه - (مسئولیت معنوی درجه اول )

مستند نام اشخاص تاييد نشده
Neville-Shepard, Meredith Diane

نام شخص - ( مسئولیت معنوی درجه دوم )

مستند نام اشخاص تاييد نشده
Islam, M. Saif

شناسه افزوده (تنالگان)

تقسيم فرعي
Electrical and Computer Engineering
مستند نام تنالگان تاييد نشده
University of California, Davis

شماره دستیابی

شماره بازیابی
1639601029; 3646363

دسترسی و محل الکترونیکی

نام الکترونيکي
 مطالعه متن کتاب 

وضعیت انتشار

فرمت انتشار
p

اطلاعات رکورد کتابشناسی

نوع ماده
[Thesis]
کد کاربرگه
276903

اطلاعات دسترسی رکورد

سطح دسترسي
a
تكميل شده
Y

پیشنهاد / گزارش اشکال

اخطار! اطلاعات را با دقت وارد کنید
ارسال انصراف
این پایگاه با مشارکت موسسه علمی - فرهنگی دارالحدیث و مرکز تحقیقات کامپیوتری علوم اسلامی (نور) اداره می شود
مسئولیت صحت اطلاعات بر عهده کتابخانه ها و حقوق معنوی اطلاعات نیز متعلق به آنها است
برترین جستجوگر - پنجمین جشنواره رسانه های دیجیتال