عنوان
پدید آورنده
موضوع
رده
کتابخانه
محل استقرار
شابک
شابک
3642085652
شابک
3662043076
شابک
9783642085659
شابک
9783662043073
شماره کتابشناسی ملی
شماره
b579344
عنوان و نام پديدآور
عنوان اصلي
Ferroelectric memories
نام عام مواد
[Book]
نام نخستين پديدآور
J.F. Scott.
وضعیت نشر و پخش و غیره
محل نشرو پخش و غیره
Berlin ; New York
نام ناشر، پخش کننده و غيره
Springer
تاریخ نشرو بخش و غیره
2000
مشخصات ظاهری
نام خاص و کميت اثر
(xvi, 248 pages) : illustrations
فروست
عنوان فروست
Springer series in advanced microelectronics, 3.
یادداشتهای مربوط به مندرجات
متن يادداشت
1. Introduction --; 2. Basic Properties of RAMs (Random Access Memories) --; 3. Electrical Breakdown (DRAMs and NV-RAMs) --; 4. Leakage Currents --; 5. Capacitance --; Voltage Data: C(V) --; 6. Switching Kinetics --; 7. Charge Injection and Fatigue --; 8. Frequency Dependence --; 9. Phase Sequences in Processing --; 10. SBT-Family Aurivillius-Phase Layer Structures --; 11. Deposition and Processing --; 12. Nondestructive Read-Out Devices --; 13. Ferroelectrics-on-Superconductor Devices: Phased-Array Radar and 10-100 GHz Devices --; 14. Wafer Bonding --; 15. Electron-Emission and Flat-Panel Displays --; 16. Optical Devices --; 17. Nanophase Devices --; 18. Drawbacks and Disadvantages.
یادداشتهای مربوط به خلاصه یا چکیده
متن يادداشت
Ferroelectric memories have changed in 10 short years from academic curiosities of the university research labs to commercial devices in large-scale production. This is the first text on ferroelectric memories that is not just an edited collection of papers by different authors. Intended for applied physicists, electrical engineers, materials scientists and ceramists, it includes ferroelectric fundamentals, especially for thin films, circuit diagrams and processsing chapters, but emphazises device physics. Breakdown mechanisms, switching kinetics and leakage current mechanisms have lengthly chapters devoted to them. The book will be welcomed by research scientists in industry and government laboratories and in universities. It also contains 76 problems for students, making it particularly useful as a textbook for fourth-year undergraduate or first-year graduate students.
موضوع (اسم عام یاعبارت اسمی عام)
موضوع مستند نشده
Dünne Schicht
موضوع مستند نشده
Ferroelectric storage cells.
موضوع مستند نشده
Speicherzelle
نام شخص به منزله سر شناسه - (مسئولیت معنوی درجه اول )
مستند نام اشخاص تاييد نشده
J.F. Scott.
نام شخص - (مسئولیت معنوی برابر )
مستند نام اشخاص تاييد نشده
J F Scott
دسترسی و محل الکترونیکی
نام الکترونيکي
مطالعه متن کتاب اطلاعات رکورد کتابشناسی
نوع ماده
[Book]
اطلاعات دسترسی رکورد
تكميل شده
Y
