عنوان

Semiconductors and semimetals

شماره استاندارد

26160

شماره استاندارد

26106

شماره استاندارد

33266

شماره استاندارد

35391

شماره استاندارد

37221

شماره استاندارد

74127

شماره استاندارد

85159

شماره استاندارد

120073

زبان متن نوشتاري يا گفتاري و مانند آن

تا‌بستا‌ن‌۰۸

زبان متن نوشتاري يا گفتاري و مانند آن

English

نام عام مواد

)50-70(

نام نخستين پديدآور

Willardson, Robert K.

عنوان اصلي

Semiconductors and semimetals

محل نشرو پخش و غیره

New York

نام ناشر، پخش کننده و غيره

Academic Press

تاریخ نشرو بخش و غیره

]1966-

نام خاص و کميت اثر

v.: ill.; 24 cm

متن يادداشت

Bibliographical footnotes and indexes

متن يادداشت

v.1-2. Physics of III-V compounds.- v.3. Optical properties of III-V compounds.- v.4. Physics of III-V compounds.- v.5. Infrared detectors.- v.6. Injection phenomena.- v.7. Appliations and devices. 2 pts.- v.8. Transport and optical phenomena.- v.9. Modulation techniques.- v.01. Transport phenomena.- v.11. Solar cells.- v.21. Infrared detectors II.--v.31. Cadmium telluride.--v.41. Lasers, junctions, transport.-- v.51. Contacts, junctions, emitters.-- v.61. Defects, )HgCd( Se, )HgCd(Te.-- v.71. CW beam processing of Silicon and other semiconductors.-- v.81. Mercury, cadmium, telluride.-- v.91. Deep levels, GaAs, alloys, photochemistry.-- v.02. Semi-insulating GaAs.-- v.12. Hydrogenated amorphus silicon.- pt.A. Preparation and structure. pt.B. Optical properties.- pt.C. Electronic and transport properties.- pt.D. Device applications.-- v.22. Lightwave communications technology.- pt.A. Material growth technologies.- pt.B. Semiconductor injection lasers I.- pt.C. Semiconductor injection lasers II. Light-emitting diodes.- pt.D. Photodetectors.- v.32. Pulsed laser processing of semiconductors.-- v.42. Applications of multiquatum wells, selective doping, and superlattices.-- v.52. Diluted magnetic semiconductors.-- v.62. III-V compound semicondutors and semciondoctor properties of superionic materials.-- v.72. Highly conducting quasi-one-dimensional organic crystals.-- v.82. Measurement of high-speed signals in solid state devices.-- v.92. Very high speed integrated circuits: Gallium Arsenide LSI.-- v.03. Very highe speed integrated circuits: heterostructure.-- v.13. Indium phosphide: crystal growth and characterization.-- v.23-43. Semiconductors and semimetals.-- v.54. Effect of disorder and defects in ion-implanted semiconductors: electrical and physicochemical characterization

عنصر شناسه ای

، Semiconductors

عنصر شناسه ای

، Semimetals

شماره رده

کد نقش

AU

عنصر شناسه اي

Edited by R.K. Willardson ]and[ Albert C. Beer

عنصر شناسه اي

AU .C treblA ,reeB

عنصر شناسه اي

TI Effect of disorder and defects in ion-implanted semiconductors: electrical and physicochemical characterization

عنصر شناسه اي

TI

نحوه قرار گرفتن مدرك روي قفسه

05

نحوه قرار گرفتن مدرك روي قفسه

05

نحوه قرار گرفتن مدرك روي قفسه

05

نحوه قرار گرفتن مدرك روي قفسه

05

نحوه قرار گرفتن مدرك روي قفسه

05

نحوه قرار گرفتن مدرك روي قفسه

05

نحوه قرار گرفتن مدرك روي قفسه

05

نحوه قرار گرفتن مدرك روي قفسه

07