عنوان

طراحی و پیاده سازی تقویت کننده عملیاتی توان پایین وبهره بالا بااستفاده ازترانزیستورهای فین فت,‮‭TK‬

Number

‭۱۴۱۳۳پ‬

.Language of Text, Soundtrack etc

per

Title Proper

طراحی و پیاده سازی تقویت کننده عملیاتی توان پایین وبهره بالا بااستفاده ازترانزیستورهای فین فت

Parallel Title Proper

‮‭TK‬

First Statement of Responsibility

/رضاخدامی خسروشاهی

Name of Publisher, Distributor, etc.

: پردیس‌های خودگردان تبریز

Date of Publication, Distribution, etc.

، ‮‭۹۴‬

Name of Manufacturer

، راشدی

Text of Note

چاپی

Dissertation or thesis details and type of degree

کارشناسی ارشد

Discipline of degree

مهندسی برق گرایش الکترونیک

Date of degree

‮‭۱۳۹۴/۰۶/۱۹‬

Body granting the degree

تبریز

Text of Note

یکی از کاربردی ترین بلوک های به کار رفته در سیستمهای آنالوگ و سیگنال مخلوط تقویت کننده های عمیاتی می باشند .تقویت کننده های عملیاتی همه منظوره می‌صتوانند به عنوان جمع کننده، مشتق گیر، انتگرال گیر، بافر ، مقایسه کننده ، مبدل امپدانس منفی و سایر کاربردها استفاده شوند .در این پایان نامه ، طراحی و شبیه سازی تقویت کننده عملیاتی جدید بهره بالا و توان پایین مبتنی بر ترانزیستور فین فت با نرم افزار ‮‭HSPICE‬ و تکنولوژی ‮‭۳۲‬ نانومتر ‮‭FinFET‬ به انجام رسید .تقویت کننده عملیاتی پیشنهادی مبتنی بر فین فت با گیت های بهم بسته‮‭FinFET) - (SG‬می باشد .مشخصات اصلی تقویت کننده پیشنهادی از قبیل بهره ولتاژ ‮‭DC‬ ، توان مصرفی، پهنای باند ، نسبت حذف اثر تغذیه ‮‭(PSRR)‬ و زمان نشست‮‭time) - (settling‬محاسبه شدند .در طرح پیشنهادی با ولتاژ تغذیه ‮‭۶/۰‬ ولت، بهره ‮‭۶۱‬ دسی بل و فرکانس بهره واحد ‮‭۷۶/۱۸‬ مگا هرتز با خازن بار ‮‭۱۰‬ پیکو فاراد بدست آمد .توان مصرفی این تقویت کننده عملیاتی برابر ‮‭۰۳/۹‬ میکرو وات می باشد

Text of Note

One of the most widely used building blocks for analog and mixed-signal systems are Operational Amplifiers (Op-Amps). General purpose Op-Amps can be used as buffers, integrators, differentiators, summers, comparators, negative impedance converters, and many other applications. In this thesis, design and simulation of novel high-gain low-power Operational Amplifier based on FinFET using HSPICE and 32 nm technology node has been performed. FinFET based Op-Amp with shorted gates (SG-FinFET) have been proposed. The key characteristics of the proposed Op-Amp, like DC voltage gain, power consumption, bandwidth, PSRR and, settling-time have been computed. In proposed design with 0.6V supply voltage, a DC gain of 61dB and the unity gain frequency (UGF) of 18.76MHz with load capacitor of 10pF was achived. The power consumption of this Op-Amp is 9.03W.

Parallel Title

‮‭TK‬

خدامی خسروشاهی، رضا

دائی کوزه کنانی، ضیاءالدین، استادراهنما

صبحی، جعفر، استادمشاور

Public note

سیاه و سفید

نمایه‌سازی قبلی