عنوان

طراحی و شبیه سازی یک مدار مالتی پلکسر مبتنی بر ترانزیستور اثر میدان با کربن نانوتیوب تک جداره

Number

‭۲۸۲۵پ‬

.Language of Text, Soundtrack etc

per

Title Proper

طراحی و شبیه سازی یک مدار مالتی پلکسر مبتنی بر ترانزیستور اثر میدان با کربن نانوتیوب تک جداره

First Statement of Responsibility

/حامد فولاد وند

Name of Publisher, Distributor, etc.

: فناوری های نوین

Date of Publication, Distribution, etc.

، ‮‭۹۳‬

Specific Material Designation and Extent of Item

‮‭۹۰‬‬

Text of Note

چاپی

Dissertation or thesis details and type of degree

کارشناسی ارشد

Discipline of degree

نانوفناوری نانوالکترونیک

Date of degree

‮‭۱۳۹۳/۰۶/۲۵‬

Body granting the degree

تبریز

Text of Note

رشد بسیار سریع فناوری ساخت مدارهای الکترونیکی و ورود به مرز فناوری نانو ، همراه با مزایای دور از انتظاری که برای این فناوری به دنبال داشته، چالش های فراوانی را نیز فرا روی مهندسان و متخصصین الکترونیک قرار داده است برخی از این چالش ها مربوط به فرآیند و فناوری ساخت مدارهای الکترونیکی و بخشی نیز مربوط به کوچک شدن ابعاد ترانزیستورها است که پایه و اساس آنها می باشد .افزایش این مسائل پژوهشگران را به فکر جایگزینی مواد جدیدی به منظور استفاده در مدارهای الکترونیکی انداخت، که به جای استفاده از ترانزیستورها و ابزارهای سیلیکونی که با محدودیت هایی روبرو هستند ، از مواد دیگری استفاده کنند .در این میان ترانزیستورهای اثر میدان مبتنی بر کربن نانوتیوب ‮‭(CNTFETs)‬ در مقایسه با همتایان سیلیکونی خود نشان داده اند که سریعتر و با مصرف انرژی کمتری تولید می شوند .با این حال، حصول اطمینان از این مزایا برای تولید مدارات مجتمع هنوز یک چالش مهم به شمار می آید .تاخیر مدارات طراحی شده با ترانزیستورهای سیلیکونی بدلیل استفاده از خازن های میانی در مدارهای مجتمع بسیار مشهود است و این امر باعث پایین آمدن کارآیی کل مدار می شود .با توجه به این مساله در مداراتی که در طراحی آنها از خازن ها استفاده می کنند بدلیل کم بودن توانایی جریان دهی گیت هایی که بارهای خازنی را درایو می کنند سرعت مدارات بطور مشهود کاهش می یابد و این یکی از مشکلات طراحی مدارات مجتمع با ترانزیستورهای سیلیکونی است . پیدایش ترانزیستورهای مبتنی بر نانو لوله های کربنی یا ‮‭CNTFET‬ ها بدلیل بکارگیری نانو لوله های کربنی در طراحی و ساخت سوئیچ های الکترونیکی می باشد ‮‭CNTFET‬ .ها به خاطر توانایی های منحصر به فردشان از جمله ابعاد خیلی کوچک، سرعت زیاد و توان مصرفی بسیار پایین و همچنین به خاطر مشابه بودن عملکردشان با ‮‭CMOS‬ ها به عنوان یک جایگزین ایده آل برای ترانزیستورهای سیلیکونی مطرح شدند .در این پایان نامه ما نشان خواهیم داد که با استفاده از منطق ترانزیستور عبوری و ‮‭CMOS‬ مبتنی بر کربن نانوتیوب بصورت یک مالتی پلکسر به جای منطق ‮‭CMOS‬ معمولی ، ضمن کاهش تعداد ترانزیستورهای اثر میدان مبتنی بر کربن نانوتیوب در مدارات مجتمع می توان آنها را با سرعت بالاتر ، مصرف انرژی کمتر و توان تلفاتی پایین طراحی کرد و بدین وسیله برای اولین بار شاهد تحقق‮‭ALU (- NANO‬واحد محاسبه و منطق در مقیاس نانو (خواهیم بود

Text of Note

1 Multiplexer is more power efficient than MOSFET design‌1 Multiplexer. The designs are simulated with operating voltage of 0.9V using HSPICE. The power consumption results of CNTFET based Design are compared with the conventional MOSFET Design. The CNTFET based design of 2‌1 multiplexer are designed using CNTFET with the various diameter of the CNT . The power analysis was obtained for the 2‌Field-effect transistors based on carbon nanotubes have been shown to be faster and less energy consuming than their silicon counterparts. However, ensuring these advantages are maintained for integrated circuits is a challenge. Carbon Nano-tube Field Effect Transistor (CNTFET) is one of the most promising successors of CMOS technology because of its superb electrical features. Although these features are proper for implementing in various practical circuits, CNTFET-based circuits will encounter enormous fabrication problems due to their size. Here we demonstrate that a significant reduction in the use of field-effect transistors can be achieved by constructing carbon nanotube-based integrated circuits based on a pass-transistor logic configuration, rather than a complementary metal-oxide semiconductor configuration. The pass-transistor logic configuration provides a significant simplification of the carbon nanotube-based circuit design, a higher potential circuit speed and a significant reduction in power consumption. There are many issues facing while integrating many number of transistors like short channel effect, power dissipation, scaling of the transistors. To overcome these problems by Consider the carbon nano tube (CNT) have promising application in the field of electronics. The simulation results are presented, and the power consumptions are compared with the conventional MOSFET design. The comparison of results indicated that the CNTFET based design is capable of efficient power savings. The inverter, Logic gates and 2

فولادوند،حامد

عباسیان،کریم، استاد راهنما

باغبان،حامد، استاد مشاور

Public note

سیاه و سفید

نمایه‌سازی قبلی