طراحی و ساخت دوربینIRدر باند۳ - ۵میکرومتر
First Statement of Responsibility
/مرتضی مجتهدی
.PUBLICATION, DISTRIBUTION, ETC
Name of Publisher, Distributor, etc.
: پردیس بین المللی ارس
PHYSICAL DESCRIPTION
Specific Material Designation and Extent of Item
۹۰ص
NOTES PERTAINING TO PUBLICATION, DISTRIBUTION, ETC.
Text of Note
چاپی
DISSERTATION (THESIS) NOTE
Dissertation or thesis details and type of degree
کارشناسیارشد
Discipline of degree
در رشته مهندسی نانوالکترونیک
Date of degree
۱۳۹۲/۱۱/۱۶
Body granting the degree
تبریز
SUMMARY OR ABSTRACT
Text of Note
در این پایان نامه با استفاده از ساختار آشکار سازMetal (MSM)-Semiconductor- Metalبه طراحی و ساخت آرایه آشکار ساز در محدوده طول موجی مادونقرمز میانیIR) - (midبه ویژه در طول موج های۵- ۳ mپرداختیم .همانصطور که می دانیم بر خلاف نیمهصهادیصهای توده ای، که در آن خواص ماده ثابت و تابع ذات آن است، در ساختارهای نانو، تغییرخواص ماده، توسط کنترل اندازهصی آنها، امکانصپذیراست .آشکار ساز هایMSM دارای قابلیت کنترل سرعت آشکار سازی و همچنین کاهش جریان تاریکی با استفاده از انتخاب مناسب فلز هر اتصال میصباشند .برای این منظور ابتدا ساختار آشکارسازMSM مطالعه شد و یک سلول پایه آشکارساز با استفاده از خانوادهInSb طراحی و ساخته شد .سپس با استفاده از آرایه سازی این سلول پایه به ساخت یک آرایه آشکار ساز در محدوده طول موج مادون قرمز میانی پرداختیم .در نهایت توسط نرم افزار نوشته شده در کامپیوتر، به انجام پردازش های پایه ای تصویر روی آن اقدام نمودیم .بر اساس میکروکنترلرهایAtxmega یک سری مدارهای الکترونیکی طراحی گردید که با توجه به تازگی این سری از میکروکنترلر ها، تعداد پروژه های کار شده با آنها فعلا زیاد نبوده و سپس داده های جمع آوری شده توسط این میکروکنترلر ها به کامپیوتر ارسال و تصویر بدست آمد .با توجه به حجم بالای این مراحل، در این پایانصنامه تمرکز اصلی بر روی مدارات الکترونیکی و برنامه های نوشته شده است
Text of Note
IR wavelengths. Finally, image processing on the obtained images was performed based on a written computer program. Different Electronic circuits were designed and fabricated based on Atxmega microcontrollers where there are a few reported projects fulfilled with the mentioned family due to their novelty. The data gathered by the microcontrollers was sent to computer to obtain the image. Due to large amount of tasks in this project, our focus was on designing the electronical circuits and the computer programming -structures can be controlled by structure size unlike the bulk semiconductors where the material characteristics are constant and depends on the nature of the material.MSMphotodetectors have the ability of controlling the detectivityspeedas well as reducing the dark current by proper selection of the contact metal. For this purpose, at first the MSM structure was studied and a photodetector unit cell based on InAs nanostructures was designed and fabricated. Then, based on arraying the mentioned unit cell, a photodetector array was fabricated for mid-5m wavelength span. As it is clear, structure properties in nano-IR wavelength range specially in the 3-Metal (MSM) photodetector structure in this thesis we designed and fabricated an array of photodetectors in the mid-Semiconductor-Based on Metal