NATIONAL BIBLIOGRAPHY NUMBER
Number
۱۲۶۰۵پ
LANGUAGE OF THE ITEM
.Language of Text, Soundtrack etc
per
TITLE AND STATEMENT OF RESPONSIBILITY
Title Proper
طراحی نانو سنسور گاز شیمیائی مبتنی بر ترانزیستور HEMT با سد ابر مشبک
First Statement of Responsibility
/پریسا اسماعیلی
.PUBLICATION, DISTRIBUTION, ETC
Name of Publisher, Distributor, etc.
: پردیس بین المللی ارس
PHYSICAL DESCRIPTION
Specific Material Designation and Extent of Item
۹۴ص
NOTES PERTAINING TO PUBLICATION, DISTRIBUTION, ETC.
Text of Note
چاپی
DISSERTATION (THESIS) NOTE
Dissertation or thesis details and type of degree
کارشناسی ارشد
Discipline of degree
در رشته ی نانوفناوری گرایش نانو الکترونیک
Date of degree
۱۳۹۲/۱۱/۲۵
Body granting the degree
تبریز
SUMMARY OR ABSTRACT
Text of Note
با توجه به اهمیت سنسورها و بیوسنسورها در زمینه های مختلف و به خصوص در زندگی انسان، طراحی و ساخت سنسورها و بیوسنسورهای جدید، لازم به نظر می رسد .موضوع مورد مطالعه یک نانوحسگر زیستی است که با استفاده از نانو ترانزیستورAlGaN/GaN HEMT با سد سوپر مشبکAlN/GaN ساخته می شود .مواد گالیوم نیتریدی انتخاب بسیار موفقی برای کاربرد های پر قدرت، دمای بالاو فرکانس بالا هستند .در سال های اخیر ساختار های نامتجانس AlGaN/GaN به علت ترکیب کردن خاصیت های مواد گروه ۳ نیترید و پلاریزاسیون پیزوالکتریک شامل شارژ گاز الکترون دو بعدی (۲DEG) ایجاد شده در فصل مشترک باعث مناسب شدن آن برای فهم کارآیی بالای ترانزیستورها شده است .هدف طراحی یک نانو حسگر زیستی است که با قرار دادن اتم های هیدروژن بر روی ناحیه گیت، بتواند غلظت را تشخیص دهد .در این پایان نامه با طراحی یک ترانزیستور AlGaN/GaN HEMT و اقدام به مدلسازی و طراحی یکحسگر زیستی با نرم افزارهای Silvaco و Matlab سعی شده است قدمی در این زمینه برای تشخیص هیدروژن برداشته شود و در نهایت پس از شبیه سازی کامل یک نانو حسگر زیستی و بدست آوردن ارتباط بین پارامترهای مختلف از قبیل جریان، ولتاژ و غلظت هیدروژن با انجام محاسبات و با انتخاب مواد مناسب برای طراحی،در مقایسه با نمونه ی کار شده مقدار ولتاژ گیت ۰.۷۵ -vو جریان درین سورس ۲.۵ mA حاصل شده است
Text of Note
nano sensor by placing the hydrogen atoms on the gate , in order to detect concentrations .biological and obtain the relationship between various parameters such as current, voltage and hydrogen concentration calculation and selection of appropriate materials for the design of various proposals to upgrade and improve the performance expressed- power , high temperature and high frequency . The goal is to design a bio-Sensors and Biosensors importance in various fields and especially in humans , design and manufacture of new sensors and Biosensors , it seems . Subject of a nanoscale transistor that uses biological Nano transistor AlGaN / GaN HEMT with Super lattice barrier AlN / GaN is made . Gallium nitride material selected for the successful application of high
PERSONAL NAME - PRIMARY RESPONSIBILITY
اسماعیلی، پریسا
PERSONAL NAME - SECONDARY RESPONSIBILITY
عباسیان، کریم، استاد راهنما
کیانی، غلامرضا، استاد مشاور
ELECTRONIC LOCATION AND ACCESS
Public note
سیاه و سفید
نمایه‌سازی قبلی
