عنوان

اثر میدان‌های مغناطیسی بر خواص نوری نقطه کوانتومی نیم‌رسانا

Number

‭۱۲۴۴۵پ‬

.Language of Text, Soundtrack etc

per

Title Proper

اثر میدان‌های مغناطیسی بر خواص نوری نقطه کوانتومی نیم‌رسانا

First Statement of Responsibility

/مریم پیرقلی کیوی

Name of Publisher, Distributor, etc.

: دانشکدة فیزیک

Specific Material Designation and Extent of Item

‮‭۹۲‬ص‬

Text of Note

چاپی

Dissertation or thesis details and type of degree

کارشناسی ارشد

Discipline of degree

در رشته فیزیک حالت جامد و الکترونیک

Date of degree

‮‭۱۳۹۲/۱۱/۲۵‬

Body granting the degree

تبریز

Text of Note

در سال‌های اخیر تلاش‌های زیادی به منظور درک بهتر خواص الکترونیکی و نوری نانوساختارهای نیم‌رسانا انجام یافته است که کاندیداهای اصلی برای ساخت ادوات نانو الکترونیکی هستند .در این میان، نقاط کوانتومی نیم‌رسانا از اهمیت ویژه‌ای برخوردار هستند .ایجاد محدودیت سه بعدی حرکت حاملین بار در هر سه بعد، ویژگی منحصر به فردی به این سامانه‌ها داده است .از طرفی در مقایسه با سایر نانوساختارهای نیم‌رسانا از قبیل چاه‌ها و سیم‌های کوانتومی، پایداری شبه ذرات اکسیتونی) شبه ذرات ناشی از اندرکنش الکترون ـ حفره ( در نقاط کوانتومی نیم‌رسانا بسیار بالاست .در این پایان‌نامه، ویژگی‌های اکسیتون در نقطه‌ی کوانتومی دیسک شکل در حضور میدان مغناطیسی با استفاده از روش قطری کردن ماتریس هامیلتونی جفت الکترون ـ حفره مورد بررسی واقع شده است .سپس اثر میدان مغناطیسی روی ترازهای انرژی اکسیتون بررسی شده است .همچنین میزان تغییرات انرژی بستگی اکسیتون در حضور میدان مغناطیسی و سپس قدرت نوسانگر اکسیتون در حضور میدان‌های مغناطیسی و الکتریکی مورد بررسی واقع شده است .اعمال میدان مغناطیسی معادل با اضافه شدن محدودیتی اضافی بر نقطه‌ی کوانتومی است که خواص نوری و ترابردی حاملین بار را تحت تأثیر قرار می‌دهد .نتایج بدست آمده در این تحقیق نشان می‌دهند در میدان مغناطیسی کوچک، انرژی حالت پایه‌ی اکسیتون با اعمال میدان تغییر محسوسی نمی‌کند در حالی‌که برای میدان مغناطیسی بزرگ‌تر، با اعمال میدان، انرژی افزایش می‌یابد .نتایج بررسی میزان تغییرات انرژی بستگی اکسیتون نیز نشان می‌دهند که با اعمال میدان مغناطیسی، انرژی بستگی افزایش می‌یابد بعلاوه با افزایش سایز نقطه کوانتومی، تأثیر میدان مغناطیسی بر انرژی بستگی اکسیتون ناچیز می‌باشد .قدرت نوسانگر اکسیتون نیز با افزایش میدان مغناطیسی در حضور میدان الکتریکی روند کاهشی می‌یابد

Text of Note

hole pairs is studied. Then the influence of the magnetic field on the excitonic levels, has been investigated. Also, the effect of magnetic field on the exciton binding energy is investigated. Further more, the influence of electric and magnetic field on the oscillator strength is studied. Applying magnetic field is equal with adding extra confinement on QD that affect optical properties and carrier transport. The results have shown that, in the small magnetic field ground state energy of exciton varies only slightly with the applied field, while for larg magnetic field, it increases significantly with the applied field. Also our results for exciton binding energy show that with increasing the magnetic field, binding energy increases. Further more, the increasing of the QDs size causes the dependence of the exciton binding energy to the magnetic field become negligible. Also, with increasing magnetic field, exciton oscillator strength in the presence of the electric field decreases-shaped quantum dot in the presence of a magnetic field by diagonalizing of the Hamiltonian matrix for electron-dimensional confinement of carriers motion in QDs causes unique properties. For example exciton in QDs are more stable rather than other semiconductor nanostructures such as Quantum wells, and wires. In this thesis, the properties of exciton in a disc-In the recent years, many efforts have been done in order to better realization of electronic and optical properties of semiconductor nanostructures. They are the main candidates of nanoelectronics devices, specially quantum dot semiconductor (QDs) are one of the most important of these devices. The creating of three

پیرقلی کیوی، مریم

سلطانی والا، علی، استاد راهنما

شجاعی، سعید، استاد راهنما

Public note

سیاه و سفید

نمایه‌سازی قبلی