NATIONAL BIBLIOGRAPHY NUMBER
Number
۷۴۳۵پ
LANGUAGE OF THE ITEM
.Language of Text, Soundtrack etc
per
TITLE AND STATEMENT OF RESPONSIBILITY
Title Proper
بررسی اکسایتونهای غیر مستقیم در تله های الکترواستاتیکی نانو ساختارهایGaN
First Statement of Responsibility
/سارا صفا
.PUBLICATION, DISTRIBUTION, ETC
Name of Publisher, Distributor, etc.
: دانشکده :فیزیک
NOTES PERTAINING TO PUBLICATION, DISTRIBUTION, ETC.
Text of Note
چاپی
DISSERTATION (THESIS) NOTE
Dissertation or thesis details and type of degree
کارشناسی ارشد
Discipline of degree
حالت جامد و الکترونیک
Date of degree
۱۳۸۶/۱۱/۲۷
Body granting the degree
دانشگاه :تبریز
SUMMARY OR ABSTRACT
Text of Note
هدف این پایان‌نامه بررسی اکسایتونهای غیرمستقیم در تله‌های الکترواستاتیکی ساختارهای چاه کوانتومی AlGaN/GaN است .که ابتدا با محاسبات عددی مقادیر انرژی بستگی اکسایتون‌ها در ساختارهای کوانتومی مختلف را محاسبه کرده و اثرات پارامترهای مختلف ساختاری را روی انرژی بستگی بررسی کرده‌ایم .در مراحل بعدی اثرات اعمال میدان الکتریکی را روی ساختارها و روی انرژی بستگی اکسایتون‌ها بررسی کرده و مشاهده کردیم که با افزایش میدان الکتریکی انرژی بستگی اکسایتون‌ها کاهش یافته و حالت پای سیستم به طرف اکسایتونهای غیرمستقیم میل می‌کند .سپس اثرات پیزوالکتریک و قطبش های خودبخودی را وارد کرده و اثرات آنها روی انرژی بستگی اکسایتون‌ها را بدست آورده‌ایم که در مواد نیتریدی این اثرات بسیار قابل توجه هستند و میزان قطبش پیزوالکتریک در این مواد بالاست .بالاخره اینکه اثرات تله‌های الکترواستاتیکی را در نظر گرفته و طول عمر تله‌ها و اندرکنش با اکسایتون‌ها را برای پارامترهای فیزیکی مختلف محاسبه کرده‌ایم، این محاسبات نشان می‌دهدکه با توجه به موقعیت چاه کوانتومی در ساختار، طول عمر تله‌های الکترواستاتیکی با افزایش عرض چاه‌ها می‌تواند افزایشی یا کاهشی باشد
Text of Note
This thesis deals with indirect excitons in AlGaN/GaN double quantum well structures. It begans with numerical calculations to find binding energy values of excitons in various quantum structures and the way in which they vary with different parameters.In the next stage, the effect of an electric field on the mentioned structure and also on the binding energy of excitons is investigated, and it is shown that the binding energy decreases and the ground state of the system tends to indirect ones, as the electrical field increases.The influence of spontaneous and piezoelectrical polarizations on the binding energy of excitons have been discussed in the next step.These effects have a remarkable role in nitrid components and a high amount of piezoelectrical polarization is observed in those materials.Finally, the presence of electrostatical traps has been considered in our studies, and the life time of the traps is evaluated with some specifiedParameters
PERSONAL NAME - PRIMARY RESPONSIBILITY
صفا، سارا
PERSONAL NAME - SECONDARY RESPONSIBILITY
عسگری، اصغر، استاد راهنما
رضایی، بهروز، استاد مشاور
ELECTRONIC LOCATION AND ACCESS
Public note
سیاه و سفید
نمایه‌سازی قبلی
