عنوان

بررسی و اندازه گیری ظرفیت خازن پیوند ‮‭pn‬ در بایاس معکوس

Number

‭۷۶۳۶پ‬

.Language of Text, Soundtrack etc

per

Title Proper

بررسی و اندازه گیری ظرفیت خازن پیوند ‮‭pn‬ در بایاس معکوس

First Statement of Responsibility

/ناصر ابراهیمی

Name of Publisher, Distributor, etc.

: فیزیک

Name of Manufacturer

، فرخی

Specific Material Designation and Extent of Item

‮‭۱۱۴‬ص‬

Text of Note

چاپی

Text of Note

فاقداطلاعات کامل

Dissertation or thesis details and type of degree

کارشناسی ارشد

Discipline of degree

فیزیک

Date of degree

‮‭۱۳۸۴/۰۶/۳۱‬

Body granting the degree

تبریز

Text of Note

یک روش برای اندازه‌گیری ظرفیت مؤثر دیود در بایاس معکوس و با استفاده از تقویت کننده‌های عملیاتی فرکانسهای بالا مورد بررسی قرار گرفته است .دستگاههای زیادی برای اندازه‌گیری ظرفیت خازن بدون بایاس وجود دارد .ولی، به طوری که می‌دانیم، ولتاژ بایاس معکوس ظرفیت ناحیة بار فضایی را تغییر می‌دهد، بنابراین، ظرفیت ناحیة بار فضایی به صورت تابعی از ظرفیت بر حسب ولتاژ بایاس معکوس مشخص می‌شود .در این کار ولتاژ ‮‭VDC‬ برای برقراری نقاط کار مختلف اعمال شد و سپس، یک ولتاژ متناوب تحریک با دامنة کوچک در نزدیکی ولتاژ ‮‭DC‬ اعمال شد، و ظرفیتهای دیودهای مختلف در شرایط مختلف بایاس اندازه‌گیری شد .مزیت این روش آن است که برای کاربرد آن نیازی به دستگاه مخصوصی نیست و مدار اندازه‌گیری طوری طرح شده است که فقط یکی از پارامترهای مدار تحت تأثیر ولتاژ بایاس معکوس دیود قرار می‌گیرد .منحنیهای‮‭C‬ - ‮‭V‬به دست آمده از کاربرد این مدار برای ولتاژهای بایاس معکوس ‮‭۰‬ تا ‮‭۳۰‬ ولت مورد بررسی قرار گرفت و نتایج به دست آمده با نتایج پژوهشگران دیگر و کارخانة سازندة این وسایل نیمرسانا تطابق دارد .

Text of Note

.‮‭In this work a measurement methode for effective capacitance of the diode using the reverse biased voltage and operational amplifiers is presented. Numerous instruments are commercially available to measure unbiased static capacitance of capacitors. But, as we know the reverse biased voltage changes the effective capacitance of the depletion region of semiconductor junction, thus the reverse bias diode capacitance is characterized by a function of capacitance vs. reverse bias voltage. The measurement is made over a range of different reverse bias condition. For the experiment VDC is used to set different operating point for the diode, and then, a small ac voltage excitation is applied in the neighborhood of each DC biasing voltage, and capacitance for different diodes is measured. The advantage of this methode is that it does not require any special test structure, and the test circuit for junction capacitance is designed such that only one component require a voltage rating equal to the DC diode bias. C-V profiles generated using this circuit were presented for biases of ۰ to ۳۰V‬

ابراهیمی، ناصر

عقل‌آرا، حسن، استادراهنما

دیلمقانی، استادمشاور

نمایه‌سازی قبلی