عنوان

مدل بندی مشخصات ترابردی ترانزیستور با تحرک الکترونی بالا‮‭AlGaN/ GaN‬

Number

‭۷۶۳۵پ‬

.Language of Text, Soundtrack etc

per

Title Proper

مدل بندی مشخصات ترابردی ترانزیستور با تحرک الکترونی بالا‮‭AlGaN/ GaN‬

First Statement of Responsibility

/شیما پارسامقدم

Name of Publisher, Distributor, etc.

: دانشکده فیزیک

Name of Manufacturer

، فرخی

Specific Material Designation and Extent of Item

‮‭۹۲‬ص.‬

Text of Note

چاپی

Dissertation or thesis details and type of degree

کارشناسی ارشد

Discipline of degree

رشته فیزیک

Date of degree

‮‭۱۳۸۳/۰۴/۲۵‬

Body granting the degree

تبریز

Text of Note

گاز الکترونی دوبعدی در ساختار نا متجانس به علت قطبش قوی در ساختار القا می شود،در نتیجه این ترکیب برای ترانزیستور با تحرک الکترونی بالا مناسب می باشد .غلظت حاملین سطحی و حضور گاز الکترونی دوبعدی در نزدیکی مرز مشترک به خواص فیزیکی متنوعی همانند قطبش ، سهم آلیاژ، کشش ، ضخامت ، وآلایش در سد ‮‭AlGaN‬ وابسته است .غلظت حاملین سطحی که به وسیله قطبش القا شده ، با حل خودسازگار همزمان دو معادله شرودینگر و پواسون محاسبه می شود .تحرک پذیری الکترونی در این ساختارنامتجانس با استفاده از تقریب بورن محاسبه شده است .میزان تحرک پذیری الکترونی در این ساختار به دما ، غلظت حاملین ،ناهمواری سطح و سهم آلیاژبستگی دارد .تحرک پذیری الکترونی در دماهای پایین)کمتر از‮‭۷۰‬ درجه کلوین (به شدت تحت تاثیر پراکندگی از ناهمواری سطح می باشد، اما در دمای بالا تحت تاثیر پراکندگی از فونون های قطبی نوری است .در دمای اتاق تحرک پذیری الکترونی ابتدا با افزایش چگالی بار سطحی افزایش یافته ، اما پس از اندکی افزایش به مقدار ثابتی نزدیک می شود و با زیاد شدن چگالی ودر نتیجه افزایش برخوردها مجددا کاهش پیدا می کند .همچنین تحرک پذیری الکترونی با افزایش ولتاژ اعمالی به گیت و در نتیجه افزایش چگالی بار سطحی افزایش می یابد و بسته به نوع ساختار) درصد آلیاژ آلومینیوم موجود در سد و ضخامت سد (در یک ولتاژ ثابتی به حالت اشباع می رسد.تحرک پذیری الکترونی برای یک ولتاژ ثابت با افزایش درصد آلیاژ آلومینیوم در سد و همچنین با کاهش ضخامت سد ، کاهش پیدا می کند .

Text of Note

.‮‭dinger and Poisson equation. The electron mobility in this heterostructure was calculated through the Born approximation. The electron mobility is sensitive to temperature, sheet carrier concentration, interface roughness, and alloy composition. The electron mobility at low temperature (less than ) is strongly affected by the interface roughness scattering ,but at high temperature is affected by polar optical phonon scattering. . The electron mobility at room temperature first increases with increasing sheet carrier density, after little increas come to a constant value , and then reduces with more density increasing result in more scattering. Also the electron mobility increases with increasing the positive gate voltage through increasing the sheet charge density , and get close to a constant value at a constant gate voltage related to the structure( the alloy composition in the barrier and the barrier thickness).The electron mobility at a constant voltage reduces with increasing the Al alloy composition in the barrier,also the mobility reduces with reducing barrier thickness at a constant voltage‬ن‮‭Two dimensional gases in based heterostructure, suitable for high electron mobility transistors, are induced by strong polarization effects. The sheet carrier concentration and the confinement of the two dimensional gases located close to the AlGaN/GaN interface are sensitive to a large number of different physical properties such as polarity , alloy composition , strain , thickness , and doping of the AlGaN barrier. The sheet carrier concentration induced by polarization charges was determined self-consistently from a coupled Schr‬

پارسامقدم، شیما

کلافی،منوچهر، استادراهنما

سلطانی،علی، استادراهنما

رضایی،بهروز، استادمشاور

نمایه‌سازی قبلی