NATIONAL BIBLIOGRAPHY NUMBER
Number
۶۶۸۸پ
LANGUAGE OF THE ITEM
.Language of Text, Soundtrack etc
per
TITLE AND STATEMENT OF RESPONSIBILITY
Title Proper
مطالعه ترابرد الکترونی در نمونه هایی از بلورهای InSb نوع n در محدوده دمایی۴۰۰) - (۹۰درجه کلوین
First Statement of Responsibility
/مهدی مومنی
.PUBLICATION, DISTRIBUTION, ETC
Name of Publisher, Distributor, etc.
: دانشکده فیزیک
Name of Manufacturer
، فرخی
PHYSICAL DESCRIPTION
Specific Material Designation and Extent of Item
۱۱۱ص.
NOTES PERTAINING TO PUBLICATION, DISTRIBUTION, ETC.
Text of Note
چاپی
CONTENTS NOTE
Text of Note
فاقداطلاعات کافی
DISSERTATION (THESIS) NOTE
Dissertation or thesis details and type of degree
کارشناسی ارشد
Discipline of degree
رشته فیزیک
Date of degree
۱۳۸۱/۰۶/۲۵
Body granting the degree
تبریز
SUMMARY OR ABSTRACT
Text of Note
نیمرسانای InSb از نیمرساناهای گروهIII - Vدارای کوچکترین گاف انرژی نسبت به نیمرساناهای دیگر می‌باشد .از این ترکیب می‌توان در ساخت آشکار سازهای، مادون قرمز در محدودة طول موجی۱۰ - ۵میکرون و هم چنین به عنوان گوس متر برای اندازه‌گیری شدت میدان مغناطیسی استفاده نمود .با توجه به کوچکی گاف انرژی یک برهم کنش قوی بین حالتهای باند هدایت و حالتهای باند ظرفیت ایجاد می‌شود که نتیجه آن غیرسهمی بودن باندهای انرژی است .پس از برش تک بلور InSb از نوع n به قطعات کوچکتر و سایش و صیقل زنی آنها ، نمونه هایی با ابعاد معین آماده شدند . برخی از خواص الکتریکی نمونه ها از قبیل رسانندگی الکتریکی ، مقاومت مخصوص ، ضریب هال ، مقاومت مغناطیسی و تحرک حاملهای بار) الکترونها (در دماهای مختلف مورد بررسی قرار گرفت .نمودار تغییرات بر حسب برای نمونه ها همانند مشخصه یک نیمرسانای نوعی است که علاوه بر دارا بودن رسانش ذاتی دارای رسانش غیر ذاتی) ناخالصی (نیز می باشد . با بررسی این نمودار در محدوده دماهای پائین و بالا و محاسبه شیب منحنی ، گاف انرژی InSb برآورد گردید . مقدار تجربی بدست آمده برای گاف انرژی است . با توجه به باریک بودن گاف انرژی ، یونش ناخالصی ها در دماهای پائین اتفاق می افتد که خارج از محدوده دمایی ما است . در نتیجه انرژی یونش اتمهای ناخالصی) دهنده ها (قابل اندازه گیری نیست . با اندازه گیری ضریب ثابت هال در میدانهای مغناطیسی کوچک (۳۵۰۰ گوس (در دمای اتاق مقدار حاصله برای چگالی الکترونی است . بررسی تغییرات مقاومت مغناطیسی برحسب میدانهای مغناطیسی مختلف نشان می دهد که در میدانهای مغناطیسی پایین مقاومت مغناطیسی باودر میدانهای مغناطیسی متوسط با متناسب است و در میدانهای بالاتر مقدار مقاومت مغناطیسی به حالت اشباع می رسد .
PERSONAL NAME - PRIMARY RESPONSIBILITY
مؤمنی، مهدی
PERSONAL NAME - SECONDARY RESPONSIBILITY
بیدادی، حسن، استاد راهنما
صالحپور،بهروز، استاد مشاور
نمایه‌سازی قبلی
