عنوان

واپیچش پاسخ آشکارساز ‮‭NaI‬ به فوتونهای پراکندگی چندگانه

Number

‭۶۶۶۷پ‬

.Language of Text, Soundtrack etc

per

Title Proper

واپیچش پاسخ آشکارساز ‮‭NaI‬ به فوتونهای پراکندگی چندگانه

First Statement of Responsibility

/نگار خیاط عالی

Name of Publisher, Distributor, etc.

: فیزیک

Specific Material Designation and Extent of Item

‮‭۹۵‬ص‬

Text of Note

چاپی

Dissertation or thesis details and type of degree

کارشناسی ارشد

Discipline of degree

فیزیک

Date of degree

‮‭۱۳۹۰/۱۱/۲۵‬

Body granting the degree

تبریز

Text of Note

یکی از ابزارهای مناسب برای بررسی ساختار مواد استفاده از روش مبتنی بر پراکندگی کامپتون فوتونهای گاما می‌صباشد .تعداد فوتونهای پراکنده شده، متناسب با چگالی الکترونی در ناحیه پراکندگی هدف می‌صباشد، لذا با پردازش طیف مربوط به این فوتونها با الگوریتمهای عددی بازسازی تصاویر، می‌صتوان اطلاعاتی در ارتباط با چگالی الکترونی ماده مورد مطالعه بدست آورد .با استفاده از کد شبیه‌صسازی مونت‌صکارلو دیگر نیازی به ساختن تصاویر کامپیوتری با الگوریتم‌صهای پیچیده ریاضی نخواهد بود .از طرف دیگر، ساختار اصلی شکل طیف تجربی گاما که توسط آشکارساز سوسوزن ‮‭NaI‬ اندازه‌صگیری می‌صشود به فرآیندهایی نظیر پراکندگی کامپتون و میزان جذب فوتونهای گاما در درون نمونه وابسته است .با افزایش ضخامت نمونه، احتمال پراکندگی نیزافزایش می‌صیابد .با هر پراکندگی کامپتون انرژی فوتون‌صها و شدت آن تضعیف می شوند، بطوریکه بعد از ضخامت معینی عملا شدت فوتونهای پراکنده شده تغییر چندانی نمی کند .این ضخامت برای مواد مختلف به انرژی فوتون اولیه، شدت چشمه و نوع ماده بستگی داشته و به آن عمق اشباع ‮‭(Saturation Depth)‬ می گویند .در این پایان نامه اثر ضخامت مواد وانرژی فوتون تابشی در توزیع شدت فوتون‌صهای گاما پراکنده شده تحت زوایای ‮‭۱۰۵‬ و ‮‭۹۰‬ درجه بطور تجربی و شبیه‌صسازی مطالعه شده است .شدت فوتون‌صهای پراکندگی کامپتون پرتو گاما ‮‭keV ۶۶۲‬ بدست آمده از توزیع ارتفاع پالس آشکارساز سوسوزن ‮‭NaI(Tl)‬اطلاعات مفیدی درمورد توزیع چگالی نمونه آزمایشی ارائه می‌صدهد .این روش به ضخامت نمونه حساس است، زیرا با هر بار پراکندگی کامپتون انرژی فوتون و شدت آن تضعیف می‌صشود عمق اشباع شدت فوتون‌صهای پراکنده شده تغییر چندانی نمی کند .همچنین نشان داده شده است که تشخیص هرگونه عدم یکنواختی در چگالی، هنگامی که ضخامت ماده کمتر از عمق اشباع باشد امکان پذیر است .

Text of Note

One of proper method to study a sample, is based on Compton scattering of Gamma photons. Because the number of scattered photons is proportionate to electron density in scattered area, then by studying these photons profiles with image reconstruction algorithm, we can achieve data about electron density of sample. With montcarlo simulation code we needn`t to use math difficult algorithm. Experimental gamma-ray profile that is measured by NaI detector is depended to Compton scattering and photon absorption in target. As increasing simple thickness cross section of scattering increases too. The energy and intensity of gamma-ray photons continuously decreases as the number of scatterings increases in a sample, and practically the number of backscattered photons increases with increase in target thickness and then saturates at a particular target thickness called the saturation depth.In this thesis, the effect of target thickness and photon energy on intensity distribution of the 662 keV gamma-rays scattered from an target was at 105 and 90 degree studied experimental and simulatal with MCNP4C code and the saturation depth of different samples was found. Also was learned every defect in target is detectable when scan thickness is less than saturation depth.

خیاط عالی، نگار

اشرفی، صالح، استادراهنما

متولی، حسین، استادمشاور

Public note

سیاه و سفید

نمایه‌سازی قبلی