شبیه سازی و طراحی مدولاتورهای الکترو جذبی در ساختارهای نانو کریستال
First Statement of Responsibility
/حامد باغبان اصغری نژاد
.PUBLICATION, DISTRIBUTION, ETC
Name of Publisher, Distributor, etc.
تبریز: دانشگاه تبریز، دانشکده مهندسی برق، الکترونیک
PHYSICAL DESCRIPTION
Specific Material Designation and Extent of Item
۱۱۴ص
NOTES PERTAINING TO PUBLICATION, DISTRIBUTION, ETC.
Text of Note
چاپی
INTERNAL BIBLIOGRAPHIES/INDEXES NOTE
Text of Note
واژه نامه بصورت زیرنویس
DISSERTATION (THESIS) NOTE
Dissertation or thesis details and type of degree
کارشناسی ارشد
Discipline of degree
برق، الکترونیک
Body granting the degree
تبریز: دانشگاه تبریز، دانشکده مهندسی برق، الکترونیک
SUMMARY OR ABSTRACT
Text of Note
در این پروژه به تحلیل و شبیه سازی مدولاتورهای الکتروجذبی می پردازیم .این نوع مدولاتورها از نوع External هستند و در آنها از پدیدهAbsorption - Electroبرای انجام عمل مدولاسیون استفاده می شود .برای نوع ماده، از نیمه هادیهای Heterostructureمانند AlGaAs/GaAs و AlGaN/GaN/AlN به صورت چاه کوانتومی و نقطه کوانتومی استفاده می شود .اساس مدولاسیون در این ساختارها استفاده از میدان الکتریکی بایاس کننده است که باعث تغییر قله جذب می شود .با تغییر پیک جذب، شدت نور خروجی در طول موج داده شده) ورودی (متغیر خواهد بود که نوع تغییر را میدان الکتریکی تعیین می کند.بنابراین با اعمال میدان الکتریکی پیک جذب اندکی جابجا می شود و میدان نور ورودی در اثر عبور از این محیط، مقدار Transmission وابسته به میدان خواهد داشت .بر این اساس مدولاتور شدت طراحی می شود .برای این کار ابتدا پروسه های نوری دخیل در نیمه هادیهای به صورت well و dot شبیه سازی می گردد و پس از بدست آوردن ویژگیهای ساختار، ضریب جذب ساختار محاسبه میشود و اثر میدان الکتریکی روی مدولاسیون نور بررسی می شود .همچنین به منظور افزایش جذب، ساختارهای جدیدی ارائه شده است .برای بررسی ویژگی های غیر خطی ساختارهای ارائه شده، در قسمتی از این پروژه خواص غیر خطی مرتبه دوم و مرتبه سوم این ساختارها نیز بررسی و بهبود داده شده است
Text of Note
In this project we analyze and simulate Electro-Absorption modulators in semiconductor nano structures. These modulators are external type modulators and the electro-absorption phenomenon is used to do the modulation. The considered material in this project are AlGaAs/AlAs and AlGaN/GaN/AlN quantum wells and quantum dots. The modulation principle is based on using an external modulating electric field which changes the absorption peak. By changing the absorption peak, the amplitude of output light in the given wavelength (input) will be variable. The kind and shape of variations is determined by external field. So, applying the electric field, shifts the absorption spectra and the transmission rate of the input light will be a function of the electric field. This is the way that amplitude modulators are designed. In this way, first the optical processes involved with semiconductor quantum well or dot structures are simulated and after obtaining the optical properties of the structure, the absorption coefficient is calculated and effect of external field on the light modulation, is investigated. In order to increase the absorption coefficient, new structures have been proposed. At last, nonlinear optical properties of the proposed structures have been investigated and second order and third order nonlinear susceptibilities have increased due to the structures