عنوان

بررسی اثرات نقص و سایز روی خواص فیزیکی نانونوارهای سیلیسن,‮‭Investigation of the effects of defect and size on the Physical Properties of Silicene Nanoribbons‬

Number

‭۲۲۵۲۳پ‬

.Language of Text, Soundtrack etc

per

Title Proper

بررسی اثرات نقص و سایز روی خواص فیزیکی نانونوارهای سیلیسن

Parallel Title Proper

‮‭Investigation of the effects of defect and size on the Physical Properties of Silicene Nanoribbons‬

First Statement of Responsibility

/رقیه محرمی

Name of Publisher, Distributor, etc.

: فیزیک

Date of Publication, Distribution, etc.

، ‮‭۱۳۹۸‬

Name of Manufacturer

، افشاری

Specific Material Designation and Extent of Item

‮‭۱۰۵‬ص‬

Text of Note

چاپی - الکترونیکی

Dissertation or thesis details and type of degree

دکتری

Discipline of degree

فیزیک گرایش ماده چگال

Date of degree

‮‭۱۳۹۸/۱۱/۱۲‬

Body granting the degree

تبریز

Text of Note

با پیشرفت صنعت الکترونیک و قطعات به خصوص ترانزیستورها، لازم است که کارایی و کیفیت آن‌ها بهبود یابد .در ترانزیستورهای اثر میدان از گرافن بهره می‌بردند ولی به خاطر محدودیت‌های ذاتی این ماده، به مواد جدیدی رو آوردند .یکی از مواد مهم سیلیسن است که در ترانزیستورهای مبتنی بر سیلیسیم کاربرد زیادی دارد .این ماده دوبعدی به دلیل خواص ویژه ، می‌تواند نامزد مناسبی جهت کاربرد در ترانزیستورهای اثر میدان باشد .بنابراین خواص فیزیکی نانو نوارهای سیلیسنی که کاربرد عمده ای در ادوات نیم رسانا دارند، اهمیت چشمگیری دارد .دراین پروژه، با شروع از یک نانونوار خام و با استفاده از مدل بندی و شبیه سازی توسط نرم افزار‮‭ATK‬، تغییرات در خواص فیزیکی نوار مورد بررسی قرار گرفته است .ساختار نواری یکی از ویژگیهای فیزیکی مهم است که در اثر ورود نقص و ایجاد تغییرات در اندازه نوار، ایجاد کرنش و افزودن اتم‌های ناخالصی به نانونوار تغییر می‌کند .چگالی حالت‌های الکترونی مربوط به این سیستم ها نیز با نقص و آلایش و ... دستخوش تغییرات می‌شود .آلایش نانونوارهای آرمچیر سیلیسن با اتم‌های آلومینیوم باعث فرو رفتن تراز فرمی داخل نوار رسانش می‌شود که فاصله این تراز با افزایش چگالی ناخالصی‌ها از لبه نوار رسانش یا به عبارتی تبهگنی افزایش می‌یابد .افزودن ناخالصی از نوع آرسنیک باعث می‌شود تا تراز فرمی داخل نوارظرفیت فرو رود و با افزایش چگالی ناخالصی‌ها فاصله این تراز از لبه‌ی نوار ظرفیت افزایش می‌یابد که همان افزایش تبهگنی را نشان می‌دهد .وجود نقص استون والز منفرد در نانونوار عرض ‮‭۶‬ اتم باعث کاهش شکاف نواری نسبت به حالت خام نانونوار می شود در حالی که این نقص در نانونوارهای‮‭۷‬ و ‮‭۸‬ اتم افزایش شکاف را به دنبال دارد .افزایش چگالی نقص در عرض ‮‭۶‬ اتم موجب کاهش شکاف در نقطه گاما می‌شود در حالی که شکاف عرض ‮‭۷‬ اتم در نقص دوگانه نسبت به نقص منفرد کاهش دارد ولی از حالت خام بیشتر است .نقص دوگانه و منفرد شکاف عرض ‮‭۸‬ اتم را افزایش می‌شود .کرنش کششی و تراکمی تک محوری در راستای تناوب نانونوار آرمچیر با عرض ‮‭۸‬ اتم، باعث افزایش شکاف نواری به میزان قابل توجه است و عملا نانونوار را به نیمه‌هادی نبدیل می‌کند .همچنین ضریب جذب نانونوارهای خالص و آلائیده شده مورد محاسبه قرار گرفته است .ضریب جذب این نانونوارها که تحت تاثیر ناخالصی‌ها قرار می گیرند بسته به انرژی، افزایش و کاهش است

Text of Note

ASiNR, increases band gap significantly and virtually converting the nanoribbon to semiconductor. Also, the absorption coefficient of the pristine and doped nanoribbons has been calculated. The absorption coefficient of these nanoribbons that affected by impurities is increased and decreased depending on the energy-ASiNRs. The uniaxial tensile and compressive strain along periodicity direction 8-AsiNRs reduces the gap at the gamma point while the 7 atom width at the double defect decreases gap than single defect but these are more than pristine ribbon. Single and double defect increases band gap of 8-defect in 6-ASiNRs results in an increased band gap. Increasing of density of SW-ASiNRs and 8-ASiNRs decreases band gap in comparison with pristine nanoribbon whereas this defect in 7-wales defect in 6-effect transistors. Therefore, it is important to investigate the physical properties of silicene nanoribbons which are widely used in semiconductor devices. In this project, starting from a pristine nanoribbon and using modeling and simulation by ATK software, changes in the physical properties of the ribbon have been investigated. Band structure is one of the important physical properties that changes due to defect entry and changes in ribbon`s size, strain and addition of impurity atoms to the nanoribbon. The density of the states of these systems is also changes by defect doping. The doping of silicene armchair nanoribbons with aluminum atoms results sinking Fermi level in the conduction band and the distance between Fermi level and edge of conduction band increases with increasing the density of impurities, in other word degeneracy increases. By doping arsenic Fermi level move into the valance band and by increasing density of impurities causes more distance from the edge of valance band that is equevalant increasing of degeneracy. Existence of single Stone-based transistors. Because of special properties of this 2D material, it can be a good candidate for be used in field-effect transistors, but due to the inherent limitations of this material, new materials were introduced. One of the important materials is silicene which is widely used in silicon-As the electronics industry and components, especially transistors, become advanced, their performance and quality need to be improved. Graphene was used in field

Parallel Title

‮‭Investigation of the effects of defect and size on the Physical Properties of Silicene Nanoribbons‬

محرمی، رقیه

Moharrami, Roghaieh

Public note

سیاه و سفید

نمایه‌سازی قبلی