عنوان

تحلیل و مدل سازی ترابرد حامل ها در دیودهای نور گسیل مبتنی بر نقاط کوانتومی,T

Number

‭۱۴۴۳۲پ‬

.Language of Text, Soundtrack etc

per

Title Proper

تحلیل و مدل سازی ترابرد حامل ها در دیودهای نور گسیل مبتنی بر نقاط کوانتومی

Parallel Title Proper

T

First Statement of Responsibility

/بابک فخیم غازانی

Name of Publisher, Distributor, etc.

: مهندسی فناوریهای نوین

Date of Publication, Distribution, etc.

، ‮‭۱۳۹۴‬

Name of Manufacturer

، راشدی

Text of Note

چاپی

Dissertation or thesis details and type of degree

کارشناسی ارشد

Discipline of degree

مهندسی نانوفوتونیک

Date of degree

‮‭۱۳۹۴/۰۸/۰۹‬

Body granting the degree

تبریز

Text of Note

دیود های نوری مرسوم طی چند دهه‌ی اخیر معرفی شده و بسیار فراگیر شده‌اند مصرف کم آنها در ازای نور خروجی، بازده نوری بالا و همچنین قیمت ارزان، از مهمترین مزیت این دیودها است در حالی که با تغییر در ساختار چنین قطعاتی می توان بازده آنها را نیز افزایش داد .یکی از این تغییرات قرار دادن لایه های حاوی نقاط کوانتومی مابین لایه های نیمه هادی ساختار مرسوم است .این کار سبب به وجود آمدن تله هایی در مرکز ساختار می‌شود که الکترون‌ها و حفره‌ها در آن به دام می‌افتند و قبل از این که انرژی لازم برای خروج را به دست آورند، بازترکیب شده و نور گسیل می‌کنند .در کار پژوهشی حاضرساختاری با استفاده از نقاط کوانتومی طراحی و به صورت سه بعدی شبیه‌سازی شده است که بازده کوانتومی داخلی بالا در ناحیه‌ی نور مرئی داشته باشد .به علاوه اثرات تغییر شکل نقاط کوانتومی، تعداد نقاط کوانتومی، سایز نقاط کوانتومی نیز مورد بررسی قرار گرفته‌اند .هدف بعدی از این کار، تغییرات مشخصات دیود ساخته شده از قبیل قابلیت عملکرد با مواد مختلف و بررسی مشخصه‌ی در اثر تغییر پارامتر های ساخت می باشد .در طول این پروسه سعی بر این خواهد بود تا بازده دیود را افزایش داده و ولتاژ آستانه‌ی آن را کاهش دهیم .لازم به ذکر است که در کار حاضر از نقاط کوانتومی از جنس سیلیکون ( ) در بستری از به عنوان سد پتانسیل استفاده شده است

Text of Note

Typical light emitting diodes have been introduced lately and became very popular in recent years. Their low power consumption, high lighting efficiency and also low manufacturing costs are some of the most important advantages of these devices. Even many new methods have been reported in papers to increase the efficiency and color purity of these diodes. One of the brand new methods introduced is making the structure by sandwitching a quantum dot included layer between two carrier transport layers, introducing QDLED. This technique creates energy traps in the central layer which provides a situation to capture carriers and make them recombine. These energy traps make a potential well which the height of well is determined by the differences in the energy bands of neighbor layers. Carriers which are captured by these traps, recombine before they obtain the energy to run away. In this work a simple structure of QDLED is introduced and a method of 3D simulation of carrier transport and potential distribution in the structure is done. Effects of the changes in the shape, size and count of dots in the resulting recombination parameter are also investigated. The next aim of this work is to obtain I-V characteristic and the turn-on voltage for introduced structure and suggesting methods to reduce the turn-on voltage. All the quantum dots in this work are made of silicon (Si) which is deposited in the layer of silica

Parallel Title

T

فخیم غازانی، بابک

صوفی، هادی، استاد راهنما

واحد، حمید، استاد راهنما

باغبان، حامد، استاد مشاور

Public note

سیاه و سفید

نمایه‌سازی قبلی