مطالعه خواص فیزیکی نقطه کوانتومی با پتانسیل محبوسسازی گؤسین
General Material Designation
[پایاننامه]
Parallel Title Proper
Study of the Physical properties of quantum dots with Gaussian confinemet potential
First Statement of Responsibility
/وحیده حامی کوچه باغی
.PUBLICATION, DISTRIBUTION, ETC
Name of Publisher, Distributor, etc.
: علوم پایه
Date of Publication, Distribution, etc.
، ۱۳۹۹
PHYSICAL DESCRIPTION
Specific Material Designation and Extent of Item
۵۸ص.
Other Physical Details
:
GENERAL NOTES
Text of Note
زبان: فارسی
Text of Note
زبان چکیده: فارسی
NOTES PERTAINING TO PUBLICATION, DISTRIBUTION, ETC.
Text of Note
چاپی - الکترونیکی
NOTES PERTAINING TO PHYSICAL DESCRIPTION
Text of Note
مصور، جدول، نمودار
DISSERTATION (THESIS) NOTE
Dissertation or thesis details and type of degree
کارشناسی ارشد
Discipline of degree
فیزیک- ماده چگال
Date of degree
۱۳۹۹/۱۲/۰۱
Body granting the degree
صنعتی سهند
SUMMARY OR ABSTRACT
Text of Note
نقاط کوانتومی، ذرات نیمهرسانا در ابعاد چند نانومتر میباشند که دارای خصوصیات نوری و الکترونیکی بوده و به دلیل ماهیت کوانتومیشان با ذرات بزرگتر متفاوت هستند .از طرفی نیمهرساناها اساس صنایع الکترونیک جدید هستند و در ابزارهایی مانند دیودهای نوری و رایانههای خانگی به کار گرفته میشوند .اهمیت نیمهرساناها در این است که رسانایی الکتریکی این مواد را میتوان با محرکهای خارجی تغییر داد .در این پایاننامه، یک نقطه کوانتومی با پتانسیل محبوسسازی گؤسین در نظر گرفته شده و تغییرات ترازهای انرژی آن با تغییر کمیتهایی مانند اندازه نقطه کوانتومی، مقدار پتانسیل محبوسسازی نقطه کوانتومی و قدرت میدان مغناطیسی بررسی شد .نتایج نشان دادند که ویژه مقدار انرژی با افزایش اندازه نقطه کاهش و با افزایش قدرت میدان مغناطیسی و پتانسیل محبوسسازی مؤثر افزایش مییابد .همچنین خواص نوری نقطه کوانتومی از جمله ضریب جذب و ضریب شکست نیز مطالعه و مشاهده شد که با افزایش اندازه نقطه، ماکزیمم ضریب شکست و ضریب جذب به سمت نور با انرژی کمتر جابجا میشود؛ در حالیکه با افزایش میدان مغناطیسی و مقدار پتانسیل مؤثر، ماکزیمم ضریب شکست و ضریب جذب به سمت نور با انرژیهای بزرگتر جابجا می شود .
Text of Note
Quantum dots are semiconductor particles in the size of a few nanometers that have optical and electronic properties and are different from larger particles due to their quantum nature. On the other hand, semiconductors are the basis of the new electronics industry and are used in devices such as light emitting diodes and computers. The importance of semiconductors is that their electrical conductivity can be altered by external stimulus. Here, a quantum dot with Gaussian confinement potential is considered and its energy level changes are investigated versus quantities such as quantum dot size, confinement potential and magnetic field strength. The results showed that the energy levels decrease with increasing the dot size. But, energy eigenvalues increase with enhancement of magnetic field strength and effective confinement potential. Furthermore, the optical properties of quantum dots such as absorption coefficient and refractive index were studied. The calculations showed that the maximum refractive index and absorption coefficient are shifted to lower photon energy with increasing the dot size. While enhancement of magnetic field and effective confinement potential causes to the maximum refractive index and absorption coefficient are shifted to larger photon energy.
ba
PARALLEL TITLE PROPER
Parallel Title
Study of the Physical properties of quantum dots with Gaussian confinemet potential
TOPICAL NAME USED AS SUBJECT
نقاط کوانتومی
پتانسیل محبوسسازی گؤسین
ضریب جذب
ضریب شکست
UNCONTROLLED SUBJECT TERMS
Subject Term
quantum dots, Gaussian confinement potential, absorption coefficient, refractive index
Subject Term
نقاط کوانتومی، پتانسیل محبوسسازی گؤسین، ضریب جذب، ضریب شکست