مطالعه ساختار الکترونی در قطعات نیمه هادی آمورف حاوی اکسید فلزات انتقالی LiO۲ و P۲O۵
General Material Designation
[پایاننامه]
Parallel Title Proper
Study of electronic structure in amorphous semiconductor devices containing transion metal oXide: P۲O۵ and Li۲O
First Statement of Responsibility
/فرناز خاصهتراش
.PUBLICATION, DISTRIBUTION, ETC
Name of Publisher, Distributor, etc.
: علوم پایه
Date of Publication, Distribution, etc.
، ۱۳۹۷
PHYSICAL DESCRIPTION
Specific Material Designation and Extent of Item
۱۲۷ص
GENERAL NOTES
Text of Note
زبان: فارسی
Text of Note
زبان چکیده: فارسی
NOTES PERTAINING TO PUBLICATION, DISTRIBUTION, ETC.
Text of Note
چاپی - الکترونیکی
NOTES PERTAINING TO PHYSICAL DESCRIPTION
Text of Note
نمودار، جدول
DISSERTATION (THESIS) NOTE
Dissertation or thesis details and type of degree
کارشناسی ارشد
Discipline of degree
فیزیک - حالت جامد
Date of degree
۱۳۹۷/۰۶/۰۱
Body granting the degree
صنعتی سهند
SUMMARY OR ABSTRACT
Text of Note
نیمرساناها از جالب ترین و مفیدترین گروه جامدات هستند .اگرچه از سالهای ۱۹۲۰ و برای مدت طولانی، نیمرسانا ها مورد مطالعه قرار گرفتهاند، بعد از اواخر دههی ۱۹۴۰ که ترانزیستور اختراع شد، نیمرساناها جایگاه واقعی خود را پیدا کردند و به عنوان یکی از جالب توجهترین موضوعها در فیزیک حالت جامد مطرح شدند .شیشههای نیمرسانا، به خاطر داشتن خواص الکتریکی جذاب و کاربردهای فنی، توجه زیادی را به خود جلب کردهاند .اما در بین شیشههای نیمرسانا، شیشههای فسفات، به دلیل دارا بودن ضریب انبساط حرارتی بالا و دمای ذوب پایین، در ۲۰ سال اخیر، به طور گستردهای مورد مطالعه قرار گرفتهاند .با این وجود پایداری شیمیایی نسبتا پایین، کاربرد عملی آنها را محدود میسازد .برخی مطالعات نشان دادهاند که پایداری شیمیایی شیشههای فسفات را میتوان با افزودن اکسیدهای مختلفی از قبیلAl ۲O۳,MnO,V۲O۵ ,CuOو به ویژه اکسید آهن، بهبود بخشید .پیشنهاد داده شده است که پایداری شیمیایی شیشههای فسفات یونهای فلز انتقالی، به جابجایی پیوندهایO- P- Pبا پیوندهای مقاومترR=Fe , V , Cu , Mn ( -O- P ( Rنسبت داده شود .هدف از پروژهی حاضر، مطالعهی ساختار، تغییرات گاف اپتیکی و رسانایی الکتریکی در سیستم شیشهای با ترکیب ۴۰P۲O۱۰-۵V۲O۵-(۵۰-X) Li۲XK-O۲ O، ۵ >X >۳۵mol) ( است که با روش سرد کردن سریع مذاب تهیه شد .مطالعات ساختاری به وسیلهی ثبت طیف جذبیIR ، انجام شد.با انجام آنالیز UV نتیجه شد که موقعیت لبهی جذب و بنابراین، مقادیر گاف اپتیکی به ترکیب شیشهی نیمرسانا وابسته میباشد .منشا انرژی اورباخ با انتقالات غیرمستقیم به کمک فونونها، مرتبط است .همچنین، رسانایی dc سیستمهای شیشهای نگارش شد و نوار گاف الکتریکی، محاسبه گردید
Text of Note
5< X< 35 ( mol) which were prepared by normal melt quench technique. Structural studies were made by recording IR absorbance spectra. The recording UV absorbance for all of the glasses was analyzed . The position of absorption edge and hence the value of the optical band gap was found to depend on the semiconducting glass composition. The absorption in these glasses is believed to be associated with indirect transitions. The origin of Urbach energy is associated with the phonon-assisted indirect transitions. D.C. conductivity of the glass systems is also reported and electrical band gap was evaluated ، Semiconductors are of the most interesting and most useful groups of solids. Although from 1920 and for a long time, semiconductors had been studied, but infacnt after late 1940's that invention the transistors, semiconductors approached their real position. semiconductors posed as one of the most attractive fields in solid state physics. Semiconducting glasses have attracted a great attention because of their intriguing electrical properties and technological applications. In the last 20 years, among semiconducting glasses, phosphate ones have been studied widely because of their large thermal eXpansion coefficients and low melting temperatures. However, their relatively poor chemical durability, limits their practical use. But, several studies have shown that the chemical durability of phosphate glasses can be improved by addition of various oXides such as Al2O3,MnO,V2O5,CuO and especially, Iron oXides. It has been suggested that the chemical durability of transition metal ions phosphate glasses is attributed to the replacement of P-O-P bonds by more resistant P-O-R bonds (R=Fe, V, Cu and Mn. . .) . The present project aims to study the structure, variation of optical band gap and d.c. electrical conductivity in the glass system with combination of 40P2O5-10V2O5-(50-X) Li2O-XK2O
ba
PARALLEL TITLE PROPER
Parallel Title
Study of electronic structure in amorphous semiconductor devices containing transion metal oXide: P۲O۵ and Li۲O
TOPICAL NAME USED AS SUBJECT
نیمرساناهای آمورف
شیشههای فسفات
گاف اپتیکی
گاف الکتریکی
رسانایی الکتریکی
UNCONTROLLED SUBJECT TERMS
Subject Term
semiconductors; phosphate glasses; optical band gap; electrical band gap; electrical conductivity