INTERNATIONAL STANDARD BOOK NUMBER
(Number (ISBN
۹۷۸۶۰۰۷۷۲۴۹۵۸
NATIONAL BIBLIOGRAPHY NUMBER
Country Code
IR
Number
۲۰۸۹۳
LANGUAGE OF THE ITEM
.Language of Text, Soundtrack etc
فارسی
COUNTRY OF PUBLICATION OR PRODUCTlON
Country of publication
IR
TITLE AND STATEMENT OF RESPONSIBILITY
Title Proper
سلول حافظه SRAM کم‌توان و قابل اطمینان و طراحی آرایه‌ای
General Material Designation
[کتاب]
First Statement of Responsibility
/ مولف [صحیح: ویراستار] کویچیرو ایشیباشی، کنیچی اوسادا مترجمین صنم سهرابی‌آجی‌بیشه، سهیل ضیاءبخش
.PUBLICATION, DISTRIBUTION, ETC
Place of Publication, Distribution, etc.
تهران
Name of Publisher, Distributor, etc.
: نیاز دانش
Date of Publication, Distribution, etc.
، ۱۳۹۶.
PHYSICAL DESCRIPTION
Specific Material Designation and Extent of Item
۱۷۱ ص.
Other Physical Details
: مصور، جدول.
NOTES PERTAINING TO TITLE AND STATEMENT OF RESPONSIBILITY
Text of Note
عنوان به زبان اصلی: Low power and reliable SRAM memory cell and array design, c2011.
NOTES PERTAINING TO PUBLICATION, DISTRIBUTION, ETC.
Text of Note
چاپی
INTERNAL BIBLIOGRAPHIES/INDEXES NOTE
Text of Note
کتابنامه
TOPICAL NAME USED AS SUBJECT
مدارهای مجتمع ولتاژ پایین -- طرح و ساختمان
Deign and construction -- Low voltage integrated circuits
مدارهای مجتمع -- مجتمع‌سازی در مقیاس بزرگ -- طرح و ساختمان
Design and construction -- Large scale integration -- Integrated circuits
ابزار ذخیره‌سازی نیمه‌هادی
Semiconductor storage devices
LIBRARY OF CONGRESS CLASSIFICATION
Class number
TK
۷۸۷۴
/
۶۶
Book number
/
س
۸ ۱۳۹۶
PERSONAL NAME - SECONDARY RESPONSIBILITY
ایشیباشی، کویچیرو
اوسادا، کنیچی
سهرابی آجی‌بیشه، صنم، ۱۳۵۷ -
ضیاءبخش، سهیل، ۱۳۶۰ -
CORPORATE BODY NAME - SECONDARY RESPONSIBILITY
پژوهشکده میکروالکترونیک ایران
ORIGINATING SOURCE
Country
ایران
فهرستنویسی قبلی
p
کتاب فارسی
1
a
Y
