Allgemeine Methoden und Ergebnisse der wellenmechanischen Vielelektronentheorie in Kristallgittern --; Diskussion --; Die chemische Bindung in halbleitenden Festkörpern --; Wechselwirkung von Elektronenbewegungen mit Schallquanten --; Einige Zusatzbemerkungen zum Referat Pfirsch --; Bemerkung über den Gültigkeitsbereich der Störungsrechnung für die Berechnung der Übergangswahrscheinlichkeiten in der Theorie der elektrischen Leitfähigkeit --; Vergleichende Betrachtungen über die Natur der Störstellen in Halbleitern und Phosphoren --; Fehlordnungsgleichgewichte in halbleitenden Kristallen vom Standpunkt des Massenwirkungsgesetzes --; Die Regulierung von elektrischen und optischen Eigenschaften von polaren kristallen --; Bemerkungen zum Beitrag Kröger-Vink --; Statistische Halbleiterprobleme --; Strahlungslose Elektronenübergänge an Gitterstörstellen --; Beitrag W. Schottky zum Referat Haug --; Randschichteffekte an der Grenzfläche Halbleiter/Vakuum und Halbleiter/Gasraum --; Diskussionsbemerkungen zum Vortrag Engell --; Diskussionsbemerkung Rupprecht --; Elektronik der Doppelrandschichten und dünnen Zwischenschichten --; Diskussionsbeitrag Schottky zum Referat Poganski --; Über die elektrolytische Gleichrichtung --; Diskussion --; Eigenschaften und Herstellung von Selen- und Kupferoxydulgleichrichtern --; Der Wirkungsgrad von Selengleichrichtern --; Die Technik des Transistors --; Diskussion --; Die fertigung von Spitzen- und Schichtentransistoren --; Einige Erwägungen bei der Entwicklung von Transistoren --; Amerikanische Berichte zu Transistor- und Photoleitungsfragen --; New advances in the junction Transistor --; Photoconductivity --; Photoconductive pickup tubes.