1. Carrier transport in nanoscale MOS transistors /

پدیدآورنده :

کتابخانه: کتابخانه مطالعات اسلامی به زبان های اروپایی (قم)

موضوع : Carrier waves-- Mathematical models.,Metal oxide semiconductor field-effect transistors.

رده :
TK7871
.
95

2. Charge-based MOS transistor modeling :

پدیدآورنده :

کتابخانه: المكتبة المركزية مركز التوثيق وتزويد المصادر العلمية (أذربایجان الشرقیة)

موضوع : Metal oxide semiconductors , Mathematical models,Metal oxide semiconductor field-effect transistors , Mathematical models

رده :
E-BOOK

3. Charge-based MOS transistor modeling

پدیدآورنده :

کتابخانه: المكتبة المركزية مركز التوثيق وتزويد المصادر العلمية (أذربایجان الشرقیة)

موضوع : Metal oxide semiconductors- Mathematical models,Metal oxide semiconductor field-effect transistors- Mathematical models

رده :
TK7871
.
99
.
M44E59
2006

4. MOSFET modeling for circuit analysis and design

کتابخانه: كتابخانه مركزي و مركز اسناد دانشگاه مازندران (مازندران)

موضوع : effect transistors ; Mathematical models. ; -Metal oxide semiconductor field

5. MOSFET modeling for circuit analysis and design

پدیدآورنده :

کتابخانه: كتابخانه مركزي و مركز اسناد دانشگاه شهيد چمران (خوزستان)

موضوع : Metal oxide semiconductor field-effect transistors--Mathematical models

رده :
TK
,
7871
.
95
,.
G35
,
2007

6. Nanoscale transistors

پدیدآورنده :

کتابخانه: کتابخانه مرکزی و مرکز اطلاع رسانی دانشگاه محقق اردبیلی ره (أردبیل)

موضوع : Nanotechnology,Metal oxide semiconductor field-effect transistors- Mathematical models,Nanostructured materials- Mathematical models

رده :
T174
.
7
.
L86
2006

7. Nanoscale transistors

پدیدآورنده :

کتابخانه: کتابخانه مرکزی و مرکز اطلاع رسانی دانشگاه محقق اردبیلی ره (أردبیل)

موضوع : Nanotechnology,Metal oxide semiconductor field-effect transistors- Mathematical models,Nanostructured materials- Mathematical models

رده :
T174
.
7
.
L86
2006

8. Nanoscale transistors

پدیدآورنده :

کتابخانه: کتابخانه مرکزی و مرکز اطلاع رسانی دانشگاه محقق اردبیلی ره (أردبیل)

موضوع : Nanotechnology,Metal oxide semiconductor field-effect transistors- Mathematical models,Nanostructured materials- Mathematical models

رده :
T174
.
7
.
L86
2006

9. Nanoscale transistors

پدیدآورنده :

کتابخانه: كتابخانه مركزي و مركز اسناد دانشگاه شهيد چمران (خوزستان)

موضوع : Nanotechnology.,Metal oxide semiconductor field-effect transistors--Mathematical models,Nanostructured materials--Mathematical models

رده :
T
,
174
.
7
,.
L86
,
2006

10. Nanoscale transistors: device physics, modeling and simulation

پدیدآورنده :

موضوع : ، Nanotechnology,، Metal oxide semiconductor field-effect transistors-- Mathematical models,، Nanostructured materials-- Mathematical models

۲ نسخه از این کتاب در ۲ کتابخانه موجود است.

11. Nanoscale transistors: device physics, modeling and simulation

پدیدآورنده :

کتابخانه: كتابخانه مركزي و مركز اسناد دانشگاه صنعتي خواجه نصير الدين طوسى (طهران)

موضوع : ، Nanotechnology,Mathematical models ، Metal oxide semiconductor field-effect transistors,Mathematical models ، Nanostructured materials

رده :
T
174
.
7
.
L86

12. Operation and Modeling of The Mos Transistor

پدیدآورنده :

کتابخانه: كتابخانه مركزي و مركز اطلاع رساني دانشگاه شاهد (طهران)

موضوع : Metal Oxide semiconductors -- Mathematical models,Metal Oxide semiconductor field-effect transistors--Mathematical model

رده :
TK
،
7871
.
99
،.
M44
,
T77
،
1999

13. Operation and modeling of the MOS transistor

پدیدآورنده :

کتابخانه: المكتبة المركزية مركز التوثيق وتزويد المصادر العلمية (أذربایجان الشرقیة)

موضوع : Metal oxide semiconductors- Mathematical models,Metal oxide semiconductor field-effect transistors- Mathematical models

رده :
E-BOOK

14. Operation and modeling of the MOS transistor

پدیدآورنده :

کتابخانه: المكتبة المركزية مركز التوثيق وتزويد المصادر العلمية (أذربایجان الشرقیة)

موضوع : Metal oxide semiconductors , Mathematical models,Metal oxide semiconductor field-effect transistors , Mathematical models

رده :
E-BOOK

15. Operation and modeling of the MOS transistor /

پدیدآورنده :

کتابخانه: کتابخانه مطالعات اسلامی به زبان های اروپایی (قم)

موضوع : Metal oxide semiconductor field-effect transistors-- Mathematical models,Metal oxide semiconductors-- Mathematical models

رده :
TK7871
.
99
.
M44
T77
2011

16. #Operation and modeling of the MOS transistor

پدیدآورنده :

موضوع : Metal oxide semiconductors- Mathematical models ،Metal oxide semiconductor field-effect transistors- Mathematical models

۲ نسخه از این کتاب در ۲ کتابخانه موجود است.

17. Operation and modeling of the MOS transistor

پدیدآورنده :

کتابخانه: کتابخانه مرکزی و مرکز اطلاع رسانی دانشگاه محقق اردبیلی ره (أردبیل)

موضوع : Metal oxide semiconductors- Mathematical models,Metal oxide semiconductor field-effect transistors- Mathematical models

رده :
TK7871
.
99
.
M44
,.
T77
,
1999b

18. The physics and modeling of MOSFETS

کتابخانه: كتابخانه مركزي و مركز اسناد دانشگاه مازندران (مازندران)

موضوع : effect transistors ; Mathematical models. ; -Metal oxide semiconductor field

19. The physics and modeling of MOSFETS

پدیدآورنده :

کتابخانه: كتابخانه مركزي و مركز اسناد دانشگاه شهيد چمران (خوزستان)

موضوع : Metal oxide semiconductor field-effect transistors--Mathematical models

رده :
TK
,
7871
.
95
,.
M585
,
2008