1. Nanoscale transistors: device physics, modeling and simulation
پدیدآورنده : / Mark S. Lundstrom, Jing Guo.,لاندستروم,Lundstrom
کتابخانه: سازمان اسناد و كتابخانه ملی جمهوری اسلامی ایران (طهران)
موضوع : نانوتکنولوژی,ترانزیستورهای ام. او . اس با اثر میدان,موادنانوساختار, -- الگوهای ریاضی, -- الگوهای ریاضی
رده :
T
۱۷۴
/
۷
/
ل
۲
ن
۲ ۱۳۸۵
2. Nanoscale Transistors: Device physics, modeling and simulation
پدیدآورنده : Mark S. Lundstrom, Jing Guo
کتابخانه: كتابخانه مركزي و مركز اطلاع رساني دانشگاه شاهد (طهران)
موضوع : Metal oxide Semiconductor field-effect,Transistors -- Mathematical models,Nanostructured materials - Mathematical models,Nanotechnology
رده :
T
،
174
.
7
،.
L86
،
2006
