عرض القائمة
الرئیسیة
البحث المتقدم
قائمة المکتبات
حول الموقع
اتصل بنا
نشأة
ورود / ثبت نام
عنوان
Measurement and modeling of silicon heterostructure devices
پدید آورنده
/ edited by John D. Cressler
موضوع
Bipolar transistors--Mathematical models,Bipolar transistors.,Heterostructures.,Integrated circuits--Design and construction
رده
TK
,
7871
.
96
,.
B55
,
M33
,
2008
کتابخانه
كتابخانه مركزي و مركز اسناد دانشگاه شهيد چمران
محل استقرار
استان:
خوزستان
ـ شهر:
أهواز
تماس با کتابخانه :
33360244
-
061
(alk. paper)
9781420066920
IR
ebook42698
انگلیسی
IR
Measurement and modeling of silicon heterostructure devices
[Electronic Resource]
/ edited by John D. Cressler
Boca Raton, FL
: CRC Press,
, c2008.
1 v. (various pagings)
: ill. ; 27 cm.
e
Includes bibliographical references and index.
Bipolar transistors--Mathematical models
Bipolar transistors.
Heterostructures.
Integrated circuits--Design and construction
621
.
3815
,
2
TK
,
7871
.
96
,.
B55
,
M33
,
2008
Cressler, John D
ایران
621.3815,2
9781420066920.pdf
0
0
old catalog
e
BL
1
a
Y
الاقتراح / اعلان الخلل
×
الاقتراح / اعلان الخلل
×
تحذیر!
دقق في تسجیل المعلومات
اعلان الخلل
اقتراح