Investigating the effect of H atom absorption on the structural and electronic properties of silicon nanosheets using DFT approach
Dissertation
Tareq Ghazi Abbood
Physics
1402
80p.
cd
M.S.
Optics- Laser
1402/06/11
The structural and electronic properties of silicene sheets in the presence and absence of the H atoms have been studied in the framework of the density functional theory approach. The calculations have been done using the Siesta computational package and generalized gradient approximation (GGA-PBE). The study of the structural properties exhibits that silicene monolayer in the presence and absence of the H atoms has a quasi-planar structure. In the presence of the H atoms, the Si-Si bond length and degree of curvature have increased. The results of electronic properties show that silicene sheet has the quasi-metallic behavior. The band structure and density of states of silicene sheets in the presence of hydrogen atoms have been investigated and reported. Furthermore, the total energy and binding energy of silicene structures in the presence and absence of the H atoms have been calculated and compared.
خواص ساختاری و الکترونیکی ورق سیلیکن در حضور و عدم حضور اتم های H در چارچوب رویکرد نظریه تابعی چگالی مورد مطالعه قرار گرفته است. محاسبات با استفاده از بسته محاسباتی Siesta و تقریب شیب تعمیم یافته (GGA-PBE) انجام شده است. مطالعه خواص ساختاری نشان میدهد که تک لایه سیلیکن در حضور و عدم حضور اتمهای هیدروژن ساختاری شبه مسطح دارد. در حضور اتم های هیدروژن، طول پیوند Si-Si و میزان انحنای آن افزایش یافته است. نتایج بررسی خواص الکترونیکی نشان میدهد که ورق سیلیکن دارای رفتار شبه فلزی است. ساختار نواری و چگالی حالت های ورقه های سیلیکن در حضور اتم های هیدروژن بررسی و گزارش شده است. علاوه بر این، انرژی کل و انرژی بستگی نانوصفحات سیلیکن در حضور و عدم حضور اتم H محاسبه و مقایسه شده است.
بررسی تاثیر جذب اتم هیدروژن بر خواص ساختاری و الکترونیکی نانوصفحه سیلیکن: رویکرد DFT
Density functional theory, silicene, hydrogen, structural properties, band structure.