طراحی و پیاده سازی تقویت کننده عملیاتی توان پایین وبهره بالا بااستفاده ازترانزیستورهای فین فت
TK
/رضاخدامی خسروشاهی
: پردیسهای خودگردان تبریز
، ۹۴
، راشدی
چاپی
کارشناسی ارشد
مهندسی برق گرایش الکترونیک
۱۳۹۴/۰۶/۱۹
تبریز
یکی از کاربردی ترین بلوک های به کار رفته در سیستمهای آنالوگ و سیگنال مخلوط تقویت کننده های عمیاتی می باشند .تقویت کننده های عملیاتی همه منظوره میصتوانند به عنوان جمع کننده، مشتق گیر، انتگرال گیر، بافر ، مقایسه کننده ، مبدل امپدانس منفی و سایر کاربردها استفاده شوند .در این پایان نامه ، طراحی و شبیه سازی تقویت کننده عملیاتی جدید بهره بالا و توان پایین مبتنی بر ترانزیستور فین فت با نرم افزار HSPICE و تکنولوژی ۳۲ نانومتر FinFET به انجام رسید .تقویت کننده عملیاتی پیشنهادی مبتنی بر فین فت با گیت های بهم بستهFinFET) - (SGمی باشد .مشخصات اصلی تقویت کننده پیشنهادی از قبیل بهره ولتاژ DC ، توان مصرفی، پهنای باند ، نسبت حذف اثر تغذیه (PSRR) و زمان نشستtime) - (settlingمحاسبه شدند .در طرح پیشنهادی با ولتاژ تغذیه ۶/۰ ولت، بهره ۶۱ دسی بل و فرکانس بهره واحد ۷۶/۱۸ مگا هرتز با خازن بار ۱۰ پیکو فاراد بدست آمد .توان مصرفی این تقویت کننده عملیاتی برابر ۰۳/۹ میکرو وات می باشد
One of the most widely used building blocks for analog and mixed-signal systems are Operational Amplifiers (Op-Amps). General purpose Op-Amps can be used as buffers, integrators, differentiators, summers, comparators, negative impedance converters, and many other applications. In this thesis, design and simulation of novel high-gain low-power Operational Amplifier based on FinFET using HSPICE and 32 nm technology node has been performed. FinFET based Op-Amp with shorted gates (SG-FinFET) have been proposed. The key characteristics of the proposed Op-Amp, like DC voltage gain, power consumption, bandwidth, PSRR and, settling-time have been computed. In proposed design with 0.6V supply voltage, a DC gain of 61dB and the unity gain frequency (UGF) of 18.76MHz with load capacitor of 10pF was achived. The power consumption of this Op-Amp is 9.03W.