طراحی گیت های منطقی با استفاده از ترانزیستورهای مبتنی برنانوتیوبهای کربنی
/ژاله خلیلی
: پردیس بین المللی ارس
چاپی
کارشناسی ارشد
نانو فناوری- نانو الکترونیک
۱۳۹۳/۱۱/۲۵
تبریز
رشد سریع فناوری ساخت مدارهای الکترونیکی با استفاده از ترانزیستورهای ابعاد نانو، چالشصهای فراوانی را فراروی متخصصین الکترونیک قرار دادهصاست .در این پایان نامه یکی از بهترین جایگزینصهایCMOS ، مورد تحلیل قرار گرفته است .ساختار ترانزیستورهای مورد بررسی، مبتنی بر نانولولهصهای کربنی است که شامل نانولولهصهای تک جداره در ناحیه کانال است .نانولولهصهای کربنی به دلیل دارا بودن خواص الکترونیکی عالی، قابلیت جایگزین شدن بهصجای مدارات CMOS سیلیکونی را دارد .تحلیل و شبیهصسازی مدارات مبتنی بر ترانزیستورهای مبتنی بر نانولولهصهای کربنی از اهمیت به سزایی برخوردار است .در این پایانصنامه به تحلیل و شبیهصسازی مدارهای مبتنی بر نانولولهصهای کربنی پرداختهصایم .به علت ابعاد کوچک در حد نانومتر در ادوات مبتنی بر نانولولهصهای کربنی پارامترهای توان مصرفی و تأخیر در این مدارات کاهش میصیابد .در این پایاننامه انواع مختلفی از گیتهای پایه مبتنی بر ترانزیستورهای CMOS و CNTFET در نرمافزار Hspice شبیهسازیشده و با یکدیگر مقایسه شده-اند .نشان دادهصشدهصاست که استفاده از ترانزیستورهای مبتنی بر نانولولهصهای کربنی میزان تأخیر و توان مصرفی گیت مورد نظر به صورت قابل توجه کاهش یافته و در نتیجه زمان پاسخصدهی مدار نیز کاهش میصیابد .همچنین در این پایانصنامه نشان دادهصشدهصاست که سرعت گیت با ترانزیستورهای مبتنی بر نانولولهصهای کربنی در مقایسه با گیتصهای مبتنی بر ترانزیستورهای اثر میدانی افزایش میصیابد
Rapid developements of electronic circuit's fabrication technology based on nano transistors have frontage many challenges on the electronics specialists. In this thesis we have analyzed one of the most important alternatives of CMOS technology. The structures of these transistors are based on single walled carbon nanotubes which are replaced in the transistor's channel region. Owning excellent electronical properties, carbon nanotubes have capability to be replaced in silicon CMOS ciruits. Analysis and simulation of electronic circuits based on carbon nanotube transistors is of prime importance.In this thesis, we have analyzed and simulated circuits based on carbon nanotubes. Due to the small dimensions (nanometer) in devices based on carbon nanotubes, power consumption and delay have been reduced in these circuits.In this thesis differen kind of digital Gates based on CMOS transistors and CNTFETs have been simulated and compared using Hspice software. We have shown that using transistors based on carbon nanotubes reduces gate delay time and its power consumption's, significantly. Also, gate propagation time has been reduced, considerably. Also, we have demonstrated that speed of transistors based on carbon nanotube will increase in comparison to the gates with field effect transistors