عنوان

طراحی گیت های منطقی بر اساس پیوند نانوسیم نیمه هادی سه شاخه کنترل شونده با گیت شاتکی

‭۱۲۵۷۷پ‬

per

طراحی گیت های منطقی بر اساس پیوند نانوسیم نیمه هادی سه شاخه کنترل شونده با گیت شاتکی

/بهزاد رفعتی نیا

: دانشکده مهندسی فناوری های نوین

‮‭۶۸‬ص‬

چاپی

کارشناسی ارشد

در رشته مهندسی نانوفناوری

‮‭۱۳۹۲/۱۱/۲۵‬

دانشگاه تبریز

با محدودتر شدن کاربرد تکنولوژی ‮‭CMOS‬ در حوزه‌ی نانو، تلاش برای یافتن ساختارهای مناسب نانو مثل نانوسیم‌های نیمه‌هادی از اهمیت بیشتری برخوردار می‌شود .نانوسیم‌های نیمه‌هادی به عنوان ابزاری امیدبخش، برای بسیاری از افزاره‌های نسل جدید مطرح هستند .مطمئنا با بکارگیری مشخصه‌ها و کاربردهای استثنایی نانوسیم‌ها می‌توان به کاربردهای جدیدی در عرصه نانوتکنولوژی رسید .یکی از ابزارهای نوظهور که با استفاده از نانوسیم‌ها ساخته شده، اتصال نانوسیم سه شاخه است .در این پروژه یک پیوند نانوسیم سه شاخه کنترل شونده با گیت‌های شاتکی شبیه‌سازی شده است و از این طریق سعی شده است از نتایج به دست آمده در طراحی گیت‌های منطقی استفاده شود .اخیرا پیشرفت‌هایی در این زمینه انجام گرفته و محققان و تیم‌های تحقیقاتی توانسته‌اند به پیشرفت‌هایی در زمینه ساخت گیت منطقی ‮‭NAND‬ برسند .در این پروژه سعی بر این بوده که با استفاده از تکنولوژی نوپای نانوسیم که خروجی‌شان با استفاده از گیتهای شاتکی کنترل می‌شوند، بتوانیم به طراحی یک گیت ‮‭NOR‬ بپردازیم و پارامترهای لازم را با استفاده از نرم افزار سیلواکو شبیهسازی کنیم .ضمنا سعی شده نکاتی در مورد مشخصات الکتریکی غیرخطی پیوندهای نانوسیم سه شاخه کنترلشونده با گیت شاتکی بیان گردد .بازده انتقال ولتاژ مورد بررسی قرار گرفته و تأثیر تغییر پارامترهایی مثل عرض نانوسیم، دما، ولتاژ گیت شاتکی و غیره را در منحنی ولتاژ خروجی نسبت به ولتاژ ورودی بررسی شده است .ضمنا پارامترهای مربوط به مدارات معادل نیز مورد تحلیل قرار گرفته است .در نهایت نشان داده شده است که افزاره شبیه‌سازی شده چگونه می‌تواند رفتار مربوط به ترانزیستورهای ‮‭FET‬ را بروز دهد .همچنین رفتار غیرخطی که توسط پیوند سه‌شاخه بالستیک ایجاد می‌شود نیز توسط افزاره شبیهسازی شده تحت هدایت غیربالستیک بدست آمده است .مشخصه انتقال و رفتار مربوط به یک گیت ‮‭NOT‬ در دو حالت مورد آنالیز قرار گرفته‌اند

ballistic conditions. Transfer characteristic and a NOR gate application is obtained at last -branch nanowire junction. In this project a three branch nanowire junction controlled with schottky wrap gate is simulated and its result is used for obtaining logic applications. Recently improvements in this field have been done and scientists and research teams could get the NAND gate application with these nanowires. In this project our goal is to obtain the NOR gate application with three branch nanowires controlled with the schottky wrap gates and to simulate the necessary parameters with Silvaco. In addition, its tried to state some points about the nonlinear electrical characteristics of the three branch nanowire junctions. Voltage transfer efficiency is studied and the effect of changing parameters like nanowire width, temperature and gate voltage on output voltage vs. input voltage is analyzed, as well as parameters related to equivalent circuit. Finally, its showed that how its possible to get the FET transistor behavior from the simulated device. In addition, a nonlinear behavior is obtained from the device under non-tech applications. Definitely with using the unique characteristics of these nanowires its possible to find new applications in nanotechnology. One of the new born tools which is made from nanowires is the three-range applications such as semiconductor nanowires. These devices are considered as promising building blocks for many high-With slaking the use of CMOS technology its attempted to find new structures for nano

رفعتی نیا، بهزاد

عباسیان، کریم، استاد راهنما

باغبان، حامد، استاد مشاور

سیاه و سفید

نمایه‌سازی قبلی