۲۱۴۲۵پ
per
بررسی ویژگی‌های اپتیکی لایه‌های نازک نانوساختارW- Ti- Nتهیه شده از طریق کندوپاش مگنترونی واکنشی دوگانه با تغییر مقدار تنگستن
Investigation of optical properties of nano-structured Ti-W-N thin films with variation of tungsten content
/ساناز انصاری رواسان
: فیزیک
، ۱۳۹۷
، میرزائی
۹۸ص
چاپی - الکترونیکی
کارشناسی ارشد
فیزیک ماده چگال
۱۳۹۷/۰۶/۱۷
تبریز
در این تحقیق به بررسی خواص اپتیکی لایه‌صهای نازک نانوساختار(-W- Ti Nتیتانیوم تنگستن نیترید (پرداخته شده است .لایه‌صهای نازک نانوساختارW- Ti- Nبه طور گسترده‌صای در صنایع الکترونیکی و IC ها به عنوان سد دیفیوژنی مورد استفاده قرار می‌صگیرند .در این کار تجربی پوشش‌صهای نانوساختار سه جزئیN-W- Ti، با استفاده از کندوپاش مگنترونی دوگانه و با کندوپاش همزمان اهداف فلزی تیتانیوم و تنگستن، که اولی به منبع DC و دومی به توان RF متصل بود، نهشته شدند .نهشت این فیلم‌صها با توان DC ثابت و RF متغیر، در دمای اتاق، بر روی زیرلایه‌صهایی از جنس شیشه انجام گرفت .ویژگی‌صهای اپتیکی لایه‌صها با تغییر توان تنگستن بررسی شد، که برای بررسی ویژگی‌صهای اپتیکی لایه‌صها از اسپکتروفوتومتر در محدوده‌صی طول موجی۲۰۰ -(۱۱۰۰نانومتر (استفاده شد و با استفاده از طیف جذبی و طیف عبوری، ضریب جذب و ضریب خاموشی نمونه‌صها محاسبه گردید .لایه‌صها در توان‌صهای۰ ،۲۰ ، و ۳۵ وات تنگستن دارای ساختار آمورف و در توان-های۵۰ ،۶۵ ، ۸۰ و ۱۰۰ وات تنگستن دارای ساختار بلوری می‌صباشند .با افزایش توان تنگستن اندازه دانه‌صها و میزان طیف عبوری کاهش می‌صیابد .همچنین با رسم منحنی(h)
(1/2) versus the photon energy(h), the optical band gap was avaluated. Experimental results show that with increasing RF power optical band gap is decreased. Deposited layers possess optical direct band gap in the range 2.072 to 2.69 eV and optical indirect band gap in the range 0.066 to 1.54 eV
Investigation of optical properties of nano-structured Ti-W-N thin films with variation of tungsten content
انصاری رواسان، ساناز
Ansari Ravasan, Sanaz
بیدادی، حسن، استاد راهنما
پرهیزکار، مجتبی، استاد راهنما
سیاه و سفید
نمایه‌سازی قبلی
