تحلیل و بهینه سازی منابع نور لایه نازک الکترولومینسانت جریان متناوب
/زیبا میری کویج
: مهندسی فناوری های نوین
، ۱۳۹۴
چاپی
کارشناسی ارشد
مهندسی فتونیک گرایش نانوفتونیک
۱۳۹۴/۱۱/۱۸
تبریز
منابع نور الکترولومینسانت لایه نازک جریان متناوب گونه ای از منابع نور هستند که از یک لایه حاوی مواد فسفرسانت مابین دو لایه دی الکتریک تشکیل شده اند .لایه میانی متشکل از اتم های فسفرسانت در یک ماده میزبان برای هدایت الکترون ها است .انتشار نور در این منابع توسط تحریک اتم های نورافشان در لایه میانی توسط پدیده یونیزاسیون ضربه ای ناشی از انرژی الکترون های تزریق شده به این لایه در اثر شکست دی الکتریک اتفاق می افتد .بازده این منابع نور وابسته به پارامترهای مختلفی نظیر میزان آلایش اتم های نورافشان در لایه میانی و ضخامت این لایه، فرکانس و دامنه ولتاژ متناوب اعمالی و ثابت دی الکتریک لایه های کناری است .در این پایان نامه نخست مدل سازی این منابع نور (EL) با در نظر گرفتن این پارامترها مد نظر قرار خواهد گرفت و سپس تاثیر هر کدام از این پارامترها بر روی ولتاژ آستانه و روشنایی منبع نور سنجیده خواهدشد که پس از شبیه سازی منبع نوری استرانسیوم سولفید آلاییده شده با مس وبادر نظر گرفتن تاثیر تغییر هرکدام از پارامترهای مهم مانند تغییر ضخامت لایه میانی ،ثابت دی الکتریک ماده میانی ومقاومتهای موازی با لایه ها بهترین حالت از نظر نوردهی و ولتاژ آستانه انتخاب شده است .نتایج به دو دسته تقسیم می شوند ،در دسته اول باتغییر پارامترهای مختلف به دنبال کمترین ولتاژ آستانه هستیم ودر دسته دوم به دنبال روشنایی بالا هستیم .وقتی که مقاومت موازی با لایه فسفر افزایش می یابد شکست درساختار زودتر اتفاق می افتد یعنی ولتاژ آستانه به ولتاژ های کمتر شیفت پیدا می کند، باتغییر دیگر مقاومت های موازی تاثیر چندانی در ولتاژ آستانه مشاهده نمی شود بلکه با افزایش مقاومت سری بادیود زنر مقدار خازن در ولتاژ های یکسان کاهش می یابد . باتغییر ضخامت لایه میانی بیشترین تغییر روی ولتاژ آستانه دارد، با افزایش ضخامت لایه میانی ولتاژ آستانه نیز افزایش می یابد وکمترین ولتاژ در پایین ترین ضخامت بدست می آید . در تحلیل ماکروسکوپی با تغییر ضخامت لایه میانی میزان روشنایی نیز تغییر می کند, با افزایش ضخامت لایه میانی مقدار روشنایی افزایش پیدا می کند و روشنایی به cd/m۲ ۲۳۰۰می رسد
the structural failure, the threshold voltage is shifted to lower voltages, so the parallel resistance for changing in threshold voltage cannot show much of impact, but the Zener diode series resistance with increasing capacitor voltage can reduce the equal amount. By changing the thickness of the middle layer the greatest change in the threshold voltage which can improve by increasing the thickness of the middle layer which is achieved at AC thin film electroluminescent consists of sandwiched phosphor layer which lies between two insulating layers, an aluminum film as top electrode, and a transparent conductive film as back electrode. In the whole device, hot electrons transit the phosphor as the fraction of ice built on a glass substrate. So, a voltage supply will connect to the electrodes. They excite luminescent impurities from their ground state to the excited state from G to E4, Relaxation of electron from the excited state goes back to its ground state that results are common in photon emission. Efficiency in ACTFEL structures depend on various parameters such as the doping atoms in the middle and phosphor layers, thickness, frequency and AC voltage amplitude which is applied and the dielectric constant side layer.In this thesis, the first model of the ACTFEL had been taking parameters into account which will effect these parameters on the threshold voltage and brightness of the light source that will be determined after simulation structure to effect the changing the importance of parameters such as changing the thickness of the middle layer, the dielectric constant of the phosphor layer and Resistance parallel of the layers. The best state is selected in the luminescent and threshold voltage.Results are divided into two categories. firstly, category changes various parameters for selecting the lowest threshold voltage and secondly, high brightness.As soon as the parallel resistance of phosphor layer increases the lowest voltage. Microscopic analysis by changing the thickness of the middle layer will also change the brightness, which is enhanced by increasing the thickness between the quantity and brightness that arrives to 2300 cd / m2