تهیه نانوساختارهای پلی(پیرول- کو-تیوفن) به روش شیمیایی و بررسی عوامل موثر
[پایاننامه]
/سارا خادمی
: مهندسی پلیمر
، ۱۳۹۲
۱۰۶ ص
چاپی - الکترونیکی
کتابنامه در اخر پایان نامه
کارشناسی ارشد
صنایع پلیمر
۱۳۹۲/۰۶/۰۰
صنعتی سهند
پژوهش حاضر جهت تهیه پلی(پیرول-کو- تیوفن) به روش شیمیایی به منظور بهینه کردن خواص الکتریکی- نوری، گاف انرژی، افزایش پراکندگی ذرات در حلالهای متداول انجام گرفته است .برای این منظور ابتدا پلی (پیرول-کو- تیوفن) را در دو محیط مختلف حلال استونیتریل و حلال دوتایی ( شامل حلال استونیتریل و دیکلرومتان با نسبت حجمی ۱ به (۲ تهیه گردیدند .برای بررسی سنتز کوپلیمر از آزمونهایی از قبیل طیفسنجی مادون قرمز تبدیل فوریه(FT-IR) ، آزمون طیفسنجی فرابنفش- مرئی(UV-Vis)، ولتامتری چرخهای(CV) ، گرماسنجی پویشی تفاضلی(DSC) ، وزنسنجی حرارتی(TGA) ، طیف سنجی رزونانس مغناطیس هستهای (۱۳CNMR) ، پایداری پراکندگی ذرات و رسانایی الکتریکی به روش دونقطهای(Probe-۲)استفاده شدند و نتایج حاصل حاکی از سنتز پلی(پیرول-کو- تیوفن)بودند .پس از بررسی سنتز پلی (پیرول-کو- تیوفن) شرایط بهینه برای کوپلیمرهای تهیه شده در حلال استونیتریل به منظور دستیابی به رسانایی بالا بررسی گردید و نتایج آزمونهای رسانایی الکتریکی دونقطهای و ولتامتری چرخهای نشان دادند که بیشترین رسانایی مربوط به کوپلیمر تهیه شده در مدت زمان ۶ ساعت میباشد .ساختار کوپلیمر حاصل با آزمون پراش اشعه ایکس (XRD) و مورفولوژی آن را با آزمون میکروسکوپ الکترونی پویشی نشر میدانی (FE-SEM) مورد بررسی قرارگرفتند .پس از بدست آوردن شرایط مناسب برای سنتز کوپلیمر، با استفاده از مواد فعال سطحی نوع آنیونی(DBSNa) ،کاتیونی (CTAB) و غیر یونی(TRI-X۱۰۰) نانوساختارهای کوپلیمر رسانا سنتز شدند .نتایج نشان دادند که با تغییر مقدار ماده فعال سطحی در محیط واکنش خواصی مانند ذخیره سازی انرژی، رسانایی الکتریکی و گاف انرژی تغییر می کنند .در محیط استونیتریل با استفاده از منحنیهای بدست آمده از آزمون ولتامتری چرخهای خاصیت ظرفیت خازنی ویژه سطحی و جرمی برای تمامی نمونه ها مورد بررسی قرار گرفتند و نتایج نشان دادند که هنگام استفاده از حلال دوتایی بیشترین ظرفیت ویژه خازنی را کوپلیمر تهیه شده با نسبت مولی تیوفن به پیرول برابر با ۵۰ به ۵۰ دارا میباشد .و ظرفیت خازنی نانو ساختارهای تهیه شده در محیط حلال دوتایی نسبت به زمانیکه از مواد فعال سطحی استفاده نمیشدند کمتر بودند و در این شرایط بیشترین ظرفیت خازنی ویژه مربوط به نانوساختار تهیه شده با ماده فعال سطحی CTAB با نسبت مولی ماده فعال سطحی به کومونومرهای ۱ به ۲۰ است که برابر با F/cm۲ ۹۳ است و مشاهده گردید که با افزایش سرعت روبش ظرفیت ویژه خازنی کاهش مییابد