لایهنشانی الکتروشیمیایی آرایه نانومیلههای ZnO در داخل تمپلیت نانو حفرهای
[پایاننامه]
/سهیلا بهشتی
: دانشکده مهندسی مواد
، ۱۳۹۱
۸۶ ص
چاپی - الکترونیکی
کتابنامه در آخر پایان نامه
کارشناسی ارشد
مهندسی مواد
دانشگاه صنعتی سهند
رسوبدهی الکتروشیمیایی با جریان متناوب یکی از روشهای مهم ایجاد نانوساختارهای تک بعدی در داخل تمپلیت اکسید آندی آلومینیوم (AAO) به دلیل حضور لایه مانع در انتهای حفرهها محسوب میشود .ابتدا در این پژوهش تمپلیتهای AAO منظم به روش آندایز دو مرحلهای از محلول اسید اگزالیک ساخته شد، سپس لایهنشانی الکتروشیمیایی رسوبات جامد از محلول حاوی کلراید روی و کلراید پتاسیم در داخل تمپلیت AAO با روش جریان متناوب مورد مطالعه قرار گرفت .در این بررسی، تاثیر پارامترهای رسوبدهی الکتروشیمیایی شامل دما، ولتاژ، فرکانس، pH و غلظت کلراید روی بر روی منحنی های جریان گذرا، الگوی پراش اشعه ایکس، ترکیب شیمیایی و ساختار ماده رسوب یافته از این محلول، مورد ارزیابی قرار گرفت .نتایج نشان میدهد که رشد اکسید روی به شکل نانومیله به آسانی در داخل تمپلیت AAO صورت نمیگیرد و نیاز به تعیین شرایط مختلف تحت مکانیزمهای اکسیداسیون یونهای+Zn۲ دارد .با افزایش ولتاژ، مشاهده میشود چگالی جریان افزایش یافته اما تاثیری بر الگوی پراش اشعه ایکس، منحنیهای جریان گذرا و مکانیزم رشد رسوب جامد حاصل ندارد .با افزایش دما، نوع ماده رسوب یافته تغییر مییابد و در دمای ۸۰ درجه سانتیگراد فاز ZnO در الگوی پراش اشعه ایکس دیده میشود که در دماهای پایینتر مشاهده نشده بود، همچنین مورفولوژی از حالت نانودیواری به نانومیلهای تبدیل میشود، همچنین با افزایش این پارامتر جریان گذرا نیز افزایش مییابد. افزایش فرکانس نیز موجب افزایش جریان گذرا میشود و نیز با گذشت زمان نمونههای فرکانس بالا، کاهش جریان گذرا را با سرعت بیشتری از خود نشان میدهند که این امر میتواند به تشکیل یک رسوب جامد نیمهرسانا با ضخامت بیشتر نسبت داده شود .کاهش غلظت یونهای +Zn۲ نیز موجب افزایش جریان گذرا شده و تاثیری روی مکانیزم لایهنشانی نداشته و تنها موجب حذف فازهای ناخالصی رسوب یافته از محلول غلیظتر در الگوی پراش اشعه ایکس شده است