• الرئیسیة
  • البحث المتقدم
  • قائمة المکتبات
  • حول الموقع
  • اتصل بنا
  • نشأة

عنوان
Measurement and modeling of silicon heterostructure devices

پدید آورنده
/ edited by John D. Cressler

موضوع
Bipolar transistors--Mathematical models,Bipolar transistors.,Heterostructures.,Integrated circuits--Design and construction

رده

کتابخانه
المكتبة المركزية مركز التوثيق وتزويد المصادر العلمية

محل استقرار
استان: أذربایجان الشرقیة ـ شهر:

المكتبة المركزية مركز التوثيق وتزويد المصادر العلمية

تماس با کتابخانه : 04133443834

9781420066937(e-book : pdf)

IR
E-9169

انگلیسی

IR

Measurement and modeling of silicon heterostructure devices
[Book]
/ edited by John D. Cressler

Boca Raton, FL
: CRC Press,
, c2008.

200 p.
: ill.

Print - Electronic

Includes bibliographical references and index.

Bipolar transistors--Mathematical models
Bipolar transistors.
Heterostructures.
Integrated circuits--Design and construction

Cressler, John D

ایران

Measurement and modeling of silicon heterostructure devices
عادی
عادی
E-9169.pdf
0
ایمانی
متن
0
E-9169
انگلیسی

old catalog

pe

BL
1

a
Y

الاقتراح / اعلان الخلل

تحذیر! دقق في تسجیل المعلومات
ارسال عودة
تتم إدارة هذا الموقع عبر مؤسسة دار الحديث العلمية - الثقافية ومركز البحوث الكمبيوترية للعلوم الإسلامية (نور)
المكتبات هي المسؤولة عن صحة المعلومات كما أن الحقوق المعنوية للمعلومات متعلقة بها
برترین جستجوگر - پنجمین جشنواره رسانه های دیجیتال