عنوان
پدید آورنده
موضوع
رده
T 174 .7 .L86
T
174
.
7
.
L86
کتابخانه
محل استقرار
Nanoscale transistors: device physics, modeling and simulation
New York
Springer
c2006
vi, 217 p. : ill
Includes bibliographical references and index
Mark S. Lundstrom, Jing Guo
1
2
3
4
5
6
7
، Nanotechnology
Mathematical models ، Metal oxide semiconductor field-effect transistors
Mathematical models ، Nanostructured materials
T
174
.
7
.
L86
NO
Lundstrom, Mark
AU
AU Guo, Jing 1977-
TI
