عنوان
پدید آورنده
موضوع
رده
کتابخانه
محل استقرار
LA5kv6j5dt
Relaxed c-plane InGaN layers for the growth of strain-reduced InGaN quantum wells
[Article]
Hestroffer, K.Wu, F.Li, H.Lund, C.Keller, S.Speck, J. S.Mishra, U. K.
2015
UC Office of the President
مطالعه متن کتاب [Article]
277261
a
Y
