عرض القائمة
الرئیسیة
البحث المتقدم
قائمة المکتبات
حول الموقع
اتصل بنا
نشأة
ورود / ثبت نام
عنوان
Nanoscale transistors: device physics, modeling and simulation
پدید آورنده
Lundstrom, Mark
موضوع
، Nanotechnology,، Metal oxide semiconductor field-effect transistors-- Mathematical models,، Nanostructured materials-- Mathematical models
رده
T
174
.
7
.
L86
2006
کتابخانه
كتابخانه مركزی دانشگاه صنعتی شریف
محل استقرار
استان:
طهران
ـ شهر:
طهران
تماس با کتابخانه :
66005817
-
021
140557
بهار۵۸
English
)12(
Lundstrom, Mark
Nanoscale transistors: device physics, modeling and simulation
New York
Springer
2006
vi, 217 p.: ill.; 24 cm
Includes bibliographical references and index
، Nanotechnology
، Metal oxide semiconductor field-effect transistors-- Mathematical models
، Nanostructured materials-- Mathematical models
T
174
.
7
.
L86
2006
AU
Mark S. Lundstrom, Jing Guo
AU gniJ ,ouG 1977-
TI
131
الاقتراح / اعلان الخلل
×
الاقتراح / اعلان الخلل
×
تحذیر!
دقق في تسجیل المعلومات
اعلان الخلل
اقتراح